这个电路驱动能力强,开关速度极快,但有一点,从驱动IC过来的信号经过了图腾柱中MOS管的反向,驱动IC必须能适应这种逻辑的变化,可采用SG3527,和3525电路完全一样,只不过是3527输出的是负向推动脉冲,以适应这种逻辑关系.  最好的方法是采用专用驱动IC,如MC33152,TC4427,FAN3224等,深圳高工以台系芯睿单片机产生驱动信号,再经MC33152专驱推动MOSFET,取得较好效果.

继续.要消除开关损耗,首先要知道开关损耗在什么时段产生的.在图4中,C2C3为MOSFET的等效输出电容,把输出变压器简单的等效为一个理想变压器和漏感,激磁电感的串并联。

IRF3205的输出电容C2和C3,查数据手册为781PF,把变压器的次级短路,测得的初级电感量就是变压器的漏感,对于高频变压器来说,约在几十到几百NH,次级开路,测得的电感量就是变压器的激磁电感,如果用PC40ETD29-Z磁芯绕2匝,电感量约为10μH。

设某一时刻,Q1处于导通状态,其D极电压为0,然后G极电压开始下降,漏感L2中的电流不能突变,向等效电容C2充电,由于L2C2都很小,电流很大,Q1的D极电压迅速上长,形成很高的所谓漏感尖峰,而此时Q1栅极电荷还没有完全泄放,沟道中还有电流,其沟道电流和电压同时不为零,产生了关断损耗其值为定积分∫V(t)I(t)dt,而激磁电感L1中的电流则主要转移到L1的下半段,并经Q2中的体二极管返回电源,对开关损耗影响并不大。

设某一时刻,Q1处于导通状态,其D极电压为0,然后G极电压开始下降,漏感L2中的电流不能突变,向等效电容C2充电,由于L2C2都很小,电流很大,Q1的D极电压迅速上长,形成很高的所谓漏感尖峰,而此时Q1栅极电荷还没有完全泄放,沟道中还有电流,其沟道电流和电压同时不为零,产生了关断损耗其值为定积分∫V(t)I(t)dt,而激磁电感L1中的电流则主要转移到L1的下半段,并经Q2中的体二极管返回电源,对开关损耗影响并不大。 

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