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Flash 的读操作与传统EPROM 读操作相同。由于芯片使用软件保护模式进行操作， 用户编程时， 只要向指定的地址写入指定的序列， 就可以启动Flash 芯片内部的写状态机， 完成指定的操作。表2 为Flash 的操作命令说明( 对芯片的擦除和编程都是按照字进行的)， 表中所有的数据都是十六进制数。
Flash 的正确操作顺序： 先复位， 再擦除， 最后编程。
按照表2 提供的操作命令时序来实现对AM29LV800 的擦除和编程，PA 为编程地址，PD 为编程数据。Flash 扩展在CE1 空间， 起始地址是200000， 所以操作时所有地址必须加上200000。例如烧写工程中擦除部分命令为：
表2 AM29LV800B 的操作命令说明
芯片擦除需要占用6 个总线周期， 而芯片编程需要4 个总线周期， 依照表3 的数据， 在每个总线周期对相应地址写入命令字就可以了。用户一般都是对芯片进行写操作， 写操作只能使‘1’ 变‘0’ ， 而擦除只能使‘0’ 变为‘1’ 。图3 为擦除和编程命令波形图， 清楚地显示了擦除和编程操作过程。
图3 擦除和编程命令波形图
判断编程或擦除的结束是当把编程或擦除的命令字按照其时序写入Flash 时， 在写编程命令时序或擦除命令时序的最后一个WE 上升沿到来之后，AM29LV800会自动运行一个嵌入在Flash 内部的算法来判断编程或擦除操作是否结束。采用触发位校验的方法， 检测数据切换位DQ6(Toggle Bit) 的状态， 连续读数据会使DQ6 的值在‘0’ 和‘1’ 之间来回切换， 当编程或擦除结束时，DQ6 就停止值的切换。因此， 可以通过连续两次读DQ6 的值来判断编程或擦除是否结束， 当两次读得的值相同时， 说明编程或擦除结束， 否则没有。触发位检测算法流程图如图4 所示。
图4 触发位检测算法流程图
