本文分析了四种电路结构的多米诺门：第一种结构是最基本的，即未采用任何优化方法的多米诺结构；第二种是采用多电源电压技术但不采用共阱工艺的多米诺结构；第三种是采用多电源电压技术并采用共阱工艺的多米诺结构；第四种是采用共阱工艺的多电源和多地电压技术的多米诺结构。仿真结果如图4和图5所示，图中的功耗和面积数值分别以第一种结构的多米诺门的功耗和面积进行了归一化。
    图4显示出了不同多米诺门的功耗特性。由图4可以看出，多电源电压多米诺结构比传统多米诺结构的功耗减少了16%；采用共阱工艺的多电源电压多米诺结构比未采用共阱工艺的结构产生的功耗略小，这主要是MOS管反偏的结果；而多电源电压多地共阱结构则比传统结构的功耗减少了25%以上，比只采用了多电源电压结构的多米诺电路功耗减小了13％，这说明多电源电压多地共阱结构具有最优的功耗特性。