（3）优化驱动电路
由于pwm电机驱动系统产生传导emi的主要原因是功率半导体器件高频开关动作所引起的dv/dt和di/dt过大，并且它们的大小还直接影响着系统emi的发射强度，而且对于常用的开关器件，其开关瞬间dv/dt和di/dt的大小受门极驱动脉冲波形和门极杂散电容的影响[24]，因此，如果单纯从减小系统emi发射强度的角度考虑，通过选择适当的电路拓扑结构和控制策略是可以减小dv/dt和di/dt，实现降低系统emi发射强度。日本学者s.takizawa和意大利学者a.consoli基于此观点，通过附加驱动电流源的方法，实现了对门极驱动电流波形的可控，达到了优化emc的目的[25,26]。而vinod john等学者根据igbt的结构特点、开关特性及其所具有的弥勒效应提出了一种三级驱动的思想[27]，并设计出了相应的电路。它既能应用于分立器件CONTROL ENGINEERING China版权所有，也能应用于igbt模块，而且还适用于软开关和硬开关技术；另外一种减小dv/dt和di/dt的方法就是增加缓冲吸收
电路。该方法在一定程度上减小了dv/dt和di/dt，对系统emi具有改善作用，但事实上它只是消除了器件开关时的振荡现象(毛刺现象)，效果不是很明显。
p.caldeira等学者依据软开关变换器可以减小功率开关管通断时dv/dt和di/dt的观点，提出了采用零电压转换(zvt)的软开关变换器应该比硬开关变换器emi性能好的推测[28]。
3.2 基于切断传导传播途径的emi抑制方法
尽管单纯从emc角度出发，降低干扰源对外发射电磁干扰强度是能够减小系统emi，但会受到开关损耗增大、抑制幅度有限、控制策略繁杂及电压利用率降低等不利因素的限制。为此各国学者相继提出了一些用于阻断emi传播途径的emi滤波器结构，并且实验表明经过正确设计的滤波器，能够使系统emi发射强度减小到emc标准限值以下，这是电气设备和系统实现电磁兼容的重要手段。同谐波滤波器一样，emi滤波器也可以被划分为无源emi滤波器和有源emi滤波器两种。
