观察二次开机，有继电器的吸合声。测量开机的瞬间有+B电压输出，然后继电器释放，+B电压消失。继电器二次开机时吸合，然后释放，怀疑是保护电路启动，微处理器执行待机保护动作。测量保护电路中的C点电压，在开机瞬间为低电平，测量保护电路中的B点电压在开机瞬间为高电平，由此判断是三极管Q854执行保护所致。由于B点外接多路保护检测电路，采用测量各路保护电路隔离二极管电压的方法确定故障范围。

　　当测量+B过流检测电路的隔离二极管D859正极电压时，为高电平。测量D859两端电压为正向偏置，由此判断时是+B过流检测电路引起的保护。

　　为确定是行输出电路短路引起的过流保护，还是+B过流检测电路元件变质引起的误保护，采用断开D859，解除+B过流保护的方法。开机测量+B电压偏低，由正常时的144V降到IOOV左右，光栅缩小，亮度降低，测量行输出级电流在1A左右，行输出管发热严重。测量行输出电路的对地电阻在正常范围内，估计是行输出变压器或行偏转线圈存在局部断路故障，造成+B输出过流保护。更换行输出变压器后，+B电压和光栅恢复正常，恢复保护电路D859也不再保护，故障排除。