在维修华硕、富士康、INTEL主板的时候，经常会遇到内存自检通不过的故障，具体的故障现象是：DEBUG显示BO、A7等代码，测量DDR内存槽⑦脚VCC_DDR，发现没有电压或电压偏低。目测主板的内存供电部分，通常会发现有一个八脚的MOSFET管4500M被烧毁，或测量其无电压输出。4500M为N、P双沟道复合MOSFET管，其引脚定义见上图。

　　4500M在主板内存供电电路的典型应用线路见下图，4500M在此电路中的作用，就是提供3VDUAL电压，来为内存供电管提供D极的输入电压，也就是STR2.5V电压的来源。至于STR2.5V电压，是用来在系统进入S3状态时所使用，也就是Suspend toRAM（挂起到内存）状态，简称STR。顾名思义，STR就是把系统进入STR前的工作状态数据都存放到内存中去。在STR状态下，电源仍然继续为内存等最必要的设备供电，以确保数据不丢失，而其他设备均处于关闭状态，系统的耗电量极低。一旦按下Power按钮（主机电源开关），系统就被唤醒，马上从内存中读取数据并恢复到STR之前的工作状态。内存的读写速度极快，因此感到进入和离开STR状态所花费的时间不过是几秒钟而已。

　　STR2.5V电压的用处，就是在系统进入S3状态时，提供给内存工作所需的电压。

　　4500M的工作原理比较容易理解，VCC3的电压，通过4500M的转换，变为3VDUAL电压，3VDUAL电压，即为3V双供电，在系统待机进入S3状态时，由3VSB进行供电，而当系统开机工作后，则由VCC3来接替进行供电。这个过程是由4500M内的N、P沟道的MOS来完成的。在维修时，没有太大的必要考虑STR电压的作用，因为现在的顾客，很少有用到S3状态，他们使用的重点只是开机加电后。所以完全可以通过短接①脚的VCC3与⑤～⑧脚的3VDUAL方式，来为内存供电管提供3V的工作电压，但使用这种更改线路的方法，就失去了STR功能，也就不能将待机数据写入内存，从而不能完成睡眠和唤醒状态。