松下MC1机芯由单片信号处理器TB1251和微处理器TMP88PS38AF构成，典型机型有TC-29P42G、TC-29P40R等。

　　该机芯设有完善的保护电路，其电路结构见附图，由行过流保护、+B电压过压保护、X射线保护及场过流保护电路组成。

　　电路分析
    Q750及周边元件构成行过流保护电路，R758为行电流检测电阻。开关电源输出的+B电压(140V)经R758送至行输出电路。当行输出电路工作正常时，流过R758的电流较小，R758两端压降低于1.4V，不足以使D750和1Q750导通，Q750c极输出低电平，保护电路不动作。当行输出电路出现过流时，R758两端压降高于1.4V。从而使D750和Q750导通，Q750c极输出高电平，经D752送至Q502 b极，触发Q502。Q502和Q501接成锁相环形式，等效于一个单向可控硅。当Q502 b极受高电平触发时，Q502导通，其c极电压下降，使Q501导通，Q502导通加强，从而使Q501导通也跟着加强。这种循环(正反馈)的结果，使Q501和Q502迅速饱和导通。Q502 c极输出低电平，使cPu进入保护状态，CPU②脚输出低电平，使电源处于待机状态。同时，Q501 e极也输出低电平。送至电源电路，将电源电路置于待机状态。当保护电路动作后，电源输出的各路电压下降一半左右，整机呈三无。

　　R755、R756及D751等构成+B电压过压保护电路。当+B电压正常时，附图中A点电压不到10V，而D751的稳压值为10.4V，因而D751处于截止状态。当+B电压超过155V时，A点电压超过11V，D751导通，使Q502衣1Q501迅速饱和导通。电源进入待机状态，整机呈三无。D531、C530、R531、R532、D530等元件构成X射线保护电路。

　　当电路工作正常时，行逆程脉冲的幅度正常，此时经D531整流、C530滤波后所产生的直流电压较低，该直流电压经R531和R532分压后，在B点上形成的电压低于10.4V，不足以使D530导通；当某种原因(如行逆程电容容量减小)引起行逆程脉冲幅度过高时，经D531整流、C530滤波后所产生的直流电压也增高，经R531和R532分压后，使B点电压高于11V，从而使D530导通，并触发Q502，Q502和Q501迅速饱和导通，使电源进入待机状态，从而避免了X射线的产生。

　　R453、R452、D456和D457等元件构成场过流保护电路。当场扫描电路工作正常时，R453／／R452的锯齿波压降也较低，不足以使D456和D457导通。

　　当某种原因引起IC451输出的锯齿波电流过大时，R453／／R452上的锯齿波电压也必过高，从而使D456和D457导通，并触发Q502，使Q502和Q501迅速饱和导通，电源进入待机状态，整机三无。