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当前位置:精通维修下载 > 文档资料 > 家电技术 > 元器件介绍 > 元器件的命名及常用参数
  • 聚苯乙烯电容(CB) 2006-07-02
    电容量:10p--1u 额定电压:100V--30KV 主要特点:稳定,低损耗,体积较大 应用:对稳定性和损耗要求较高的电路

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  • 聚丙烯电容(CBB) 2006-07-02
    电容量:1000p--10u 额定电压:63--2000V 主要特点:性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差 应用:代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路

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  • 云母电容(CY) 2006-07-02
    电容量:10p--0。1u 额定电压:100V--7kV 主要特点:高稳定性,高可靠性,温度系数小 应用:高频振荡,脉冲等要求较高的电路

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  • 高频瓷介电容(CC) 2006-07-02
    电容量:1--6800p 额定电压:63--500V 主要特点:高频损耗小,稳定性好 应用:高频电路

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  • 低频瓷介电容(CT) 2006-07-02
    电容量:10p--4.7u 额定电压:50V--100V 主要特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差 应用:要求不高的低频电路

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  • 玻璃釉电容(CI) 2006-07-02
    电容量:10p--0.1u 额定电压:63--400V 主要特点:稳定性较好,损耗小,耐高温(200度) 应用:脉冲、耦合、旁路等电路

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  • 铝电解电容 2006-07-02
    电容量:0.47--10000u 额定电压:6.3--450V 主要特点:体积小,容量大,损耗大,漏电大 应用:电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等

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  • 钽电解电容(CA)铌电解电容(CN) 2006-07-02
    电容量:0.1--1000u 额定电压:6.3--125V 主要特点:损耗、漏电小于铝电解电容 应用:在要求高的电路中代替铝电解电容

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  • 空气介质可变电容器 2006-07-02
    可变电容量:100--1500p 主要特点:损耗小,效率高;可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等 应用:电子仪器,广播电视设备等

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  • 薄膜介质可变电容器 2006-07-02
    可变电容量:15--550p 主要特点:体积小,重量轻;损耗比空气介质的大 应用:通讯,广播接收机等

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  • 薄膜介质微调电容器 2006-07-02
    可变电容量:1--29p 主要特点:损耗较大,体积小 应用:收录机,电子仪器等电路作电路补偿

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  • 陶瓷介质微调电容器 2006-07-02
    可变电容量:0.3--22p 主要特点:损耗较小,体积较小 应用:精密调谐的高频振荡回路

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  • 晶体管的极限参数 2006-07-02
    晶体管所能承受的电压、功率耗散以及所通过的电流都是有一定限度的,当其超过额定值时,轻则影响晶体管的工作性能,严重时将使其损坏。以下介绍晶体管的主要极限参数。 1.集电极最大允许耗散功率PCM Pcm是指晶体管因...

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  • [图文] 黑白电视机行输出数据 2006-07-01
  • 彩显行输出管主要特性 2006-06-29
    型号反压(Vcbo)电流(ICm)功率(PCM)其它特性C38831500V5A50W内含阻尼器C38851400V7A50W C38861400V8A50W C38881400V7A80W C38891400V8A80W C38911400V6A50W内含阻尼...

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  • 2SA系列三极管参数 2006-06-28
    型 号参 数型 号参 数2SA1006B250V 1.5A 25W 80MHz2SA1011160V 1.5A 25W 120MHz2SA1009350V 2A 15W2SA101550V 0.15A 0.4W 80MHz2SA1013160V 1A 0.9W 50MHz2SA1017120V 50mA 0.5W 110MHz...

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  • 2SB系列三极管参数 2006-06-28
    型 号参 数型 号参 数2SB100940V 2A 10W 100MHz2SB101040V 2A 0.75W 100MHz2SB1012K120V 1.5A 8W2SB101320V 2A 0.7W2SB101560V 3A 25W 0.4us2SB1016100V 5A 30W 5MHz2SB101780V 4A 25...

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  • 2SC系列三极管参数 2006-06-28
    型 号参 数型 号参 数2SC1000SI-N 55V 0.1A 0.2W 80MHz2SC982N-DARL 40V 0.3A 0.4W2SC1008SI-N 80V 0.7A 0.8W 75MHz2SC1012ASI-N 250V 60mA 0.75W >80MHz2SC1014SI-N 50V 1.5A 7W2SC1017...

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  • 2SD系列三极管参数 2006-06-28
    型 号参 数型 号参 数2SD1010SI-N 50V 50mA 0.3W 200MHz2SD998N-DARL 100V 1.5A 10W B=7K2SD1012SI-N 20V 0.7A 0.25W 250MHz2SD1018SI-N 250V 4A 80W B>2502SD1027N-DARL+D 20V 15A 100W B...

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  • 常用彩电行管电源管主要参数 2006-06-28
    型号反压 (V)电流 (A)功率 (W)β值阻尼型号反压 (V)电流 (A)功率 (W)β值阻尼D11751500510015有D24981500650 无D12791500105020无D24991500650 有D1391150058012...

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  • 美国半导体器件的型号命名方法 2006-06-26
    第四部分用字母表示器件的规格号。 美国半导体器件型号命名及含义第一部分:类别第二部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志第三部分:美国电子工业协会(EIA)登记号第四部分:器件规格号数字含义字...

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  • 国产二极管的型号命名及含义 2006-06-26
    第三部分用字母表示二极管的类别。 第四部分用数字表示序号。 第五部分用字母表示二极管的规格号。 第一部分:主称第二部分:材料与极性第三部分:类别第四部分:序号第五部分:规格号数字含义字母含...

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  • 国产三极管的型号命名方法 2006-06-26
    第四部分用数字表示同一类型产品的序号。 第五部分用字母表示规格号。 第一部分:主称第二部分:三极管的材料和特性第三部分:类别第四部分:序号第五部分:规格号数字含义字母含义字母含义用数字...

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  • 国产晶闸管的型号命名方法 2006-06-26
    第一部分用字母“K”表示主称为晶闸管。 第二部分用字母表示晶闸管的类别。 第三部分用数字表示晶闸管的额定通态电流值。 第四部分用数字表示重复峰值电压级数。 第一部分:主称第二部分:类别第三部分:额...

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  • 国产电子管的型号命名及含义 2006-06-26
    第四部分用字母表示电子管的材料和外形。 第一部分:灯丝电压 第二类型:类型 第三部分:序号及性能 第四部分:材料及外形 数字 含义 字母 含义 用数字表示同类型管的序号及性能字母 含义...

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  • 国际电子联合会二极管的型号命名方法 2006-06-26
    第三部分用数字或字母与数字混合表示序号。 第四部分用字母表示器件的规格号(同一类产品的档次)。第一部分:半导体材料第二部分:类别第三部分:序号第四部分:规格号字母含义字母含义用数字或字...

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  • 国际电子联合会三极管的型号命名方法 2006-06-26
    第四部分用字母表示器件的规格号(同一类产品的档次)。第一部分:半导体材料第二部分:类别第三部分:序号第四部分:规格号字母含义字母含义A锗材料C低频小功率晶体管用数字或字母与数字混合表示...

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  • 欧式电子管的型号命名方法 2006-06-26
    欧式电子管的型号命名由三部分组成 第一部分:灯丝电压或灯丝电流第二部分:类型第三部分:管外形与序号字母含义字母含义数字含义A4V(AC)A二极管1~9边接触式管座B双二极管B0.18...

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  • 日本半导体器件的型号命名方法 2006-06-26
    第三部分用字母表示器件的类别。 第四部分用数字表示登记序号。 第五部分用字母表示产品的改进序号。 日本半导体器件型号命名及含义第一部分:器件类型或有效电极数第二部分:日本电子工业协会注册产品第...

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  • 国外集成电路命名方法 2006-06-26
    国外主要集成电路生产厂家的集成电路命名方法缩写字符:AMD 译名:先进微器件公司(美)器件型号举例说明 AM 29L509 P C B AMD首标 器件编号 封装形式 温度范围 分类 "L":低功...

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