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输出的中断请求是低电平有效,5409可以使用中断方式或者查询方式获知中断请求。当为高电平,且和及AO都为低电平时,CH375中的数据通过D7~DO输出;当为高电平,并且,及AO都为低电平时,D7~DO上的数据都被写入CH375芯片中;当为高电平,并且和都为低电平而A0为高电平时,D7~DO上的数据都被作为命令码写入CH375芯片中。
1.3 存储模块
5409片上带有ROM,但是运行程序和数据在掉电后不能保留。因此,扩展FLASH E2PROM存储模块。系统选用SST公司的128K×8 b的E2PROM芯片ST29LE010A,工作电压3.O~3.6 V,整块E2PROM能在5 s内擦写完成,可擦写100 000次左右,数据保持时间很长。系统采用3.3 V工作电压,E2PROM并行自举引导方式。硬件电路原理如图3所示。
5409的D8用于控制闪存的写使能,当D8为低电平时,可对闪存编程和擦除,通过编程控制D8,使的时序满足要求。为防止误写,平时被设置为高电平,而与5409的相连,低电平有效,平时被设置为高电平,以保护芯片。图3中采用双刀双置开关,当开关置下方时,FLASH的与DSP的相连,置高,可读FLASH;当开关置上方时,置高,与5409的D8相连,为写操作。