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1 时钟馈通误差分析
时钟馈通误差是一个复杂的物理现象,在这里以第二代开关电流存储单元为例进行分析。
图1为存储单元,图2为开关断开时的电荷注入示意图。
对图1所示的存储单元,Ms的沟道电荷可以近似地描述为:
其中:Cax是栅氧化层单位面积电容;wseff和Lseff分别是Ms的有效沟道宽度和长度;Vgs是Ms的栅一源电压;VT是Ms的阈值电压,由式(2)给出:
式中:2 |φF|是强反型层表面势垒;r是体阈值参数;VT0是Vgs=0时的阈值电压。
一般情况下,1 V<Vgs<3.5 V,因此可以得到以下近似关系:
将式(3)代入式(1),得到注入存储电容的沟道电荷为:
其中:aq表示沟道电荷注入存储电容的分配系数,典型值为:aq=1/2。由栅极扩散覆盖电容Co1,注入存储电容的电荷为:
根据式(4)和式(5)司得整个注入电荷的总量为:
式中:mi=ii/j,称为调制指数。将式(9)代入式(8),得:
2 传输误差分析
开关电流电路属于电流模式电路,其基本结构的等效电路如图3所示。