图4. 不同栅氧厚度下pMOS器件的1/f噪声测量数据
然后，我们就可以估算出1/f噪声参数，建立不同的模拟模型。图5给出了在一个p沟道MOSFET的强反型区中测得的漏极电流噪声功率。

 
图5. 漏极电流1/f噪声与栅极偏压的关系
5. 结束语
本文介绍了一种评测MOSFET 1/f噪声的晶圆级测量方法和配置方案。这种测量技术可以在晶圆上自动进行。由于这种配置方案能够测出低于100Hz的低频噪声分量，因此能够有效提取到MOSFET的1/f噪声。