图2中，电容的求解过程参见参考文献[1]，以下给出结果：

    Cgs是最大电容，需要较高精确度时可表示为：其中LD是重叠区的距离。
    第2大电容Csb表示为：式中，As是源极的结面积，Ps是源极的结周长，不包括与沟道相邻的一边，Cj-sw表示0 V偏置下的侧壁电容。（Cj0偏置下的耗尽结电容)。
    Cgd称为密勒电容，其值为：Cgd=WCoxLD。
    源极主体电容Cdb表示为：Cdb=C'db+Cd-sw=AdCjd+PdCj-sw,其中，Ad是漏极的结面积，Pd是不包括与栅极相邻部分的结周长，
    在仿真工具中建模，可指定如表1所示参数，系统自动根据上述计算式确定等效电路参数，从而完成该器件的建模。

    在pspice中仿真得到预期结果，如图4所示。

    可见参数建模法省去了构建等效电路的过程，只需通过厂商提供的器件特性参数就可以直接建模。但该方法只适用于固定结构的半导体器件。

3 子电路建模法
    随着电子器件的不断更新，单纯依靠修改参数值进行建模已经远远不能满足现在电子电路仿真的需求。针对常用电路单元和集成电路新产品，本文提出一种为新产品建立一个子电路模型的方法，并将该模型作为一个器件添加到仿真软件的模型库，在仿真电路时用户可以像调用自带库一样直接使用该模型。