存储器是容量数据处理电路的重要组成部分。随着数据处理技术的进一步发展，对于存储器的容量和性能提出了越来越高的要求。同步动态随机存储器SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)因其容量大、读写速度快、支持突发式读写及相对低廉的价格而得到了广泛的应用。SDRAM的控制比较复杂，其接口电路设计是关键。

　　本文首先介绍SDRAM的主要控制信号和基本命令;然后介绍接口电路对SDRAM的主要操作路径及操作过程，应用于解复用的SDRAM接口电路的设计方法;最后给出了实现结果。

　　1 SDRAM的主要控制信号和基本命令

　　SDRAM的主要控制信号为：

　　·CS：片选使能信号，低电平有效;

　　·RAS：行地址选通信号，低电平有效;

　　·CAS：列地址选通信号，低电平有效;

　　·WE：写使能信号，低电平有效。

　　SDRAM的基本命令及主要控制信号见表1。

　　表1 SDRAM基本操作及控制信号

命    令    名    称 CS RAS CAS WE
命令禁止（NOP:Command inhibit） H X X X
空操作（NOP：No operation） L H H H
激活操作（ACT：Select bank and active row） L L H H
读操作（READ：Select bank and column,and start READ burst） L H L H
写操作（WRITE：Select bank and column,and start WRITE burst） L H L L
突发操作停止（BTR：Burst terminate） L H H L
预充电（PRE：Deactive row in bank or banks） L L H L
自动刷新或自我刷新（REF：Auto refresh or self refresh） L L L H
配置模式寄存器（LMR：Load mode register） L L L L

　　所有的操作控制信号、输入输出数据都与外部时钟同步。