首 页文档资料下载资料维修视频包年699元
请登录  |  免费注册
当前位置:精通维修下载 > 文档资料 > 家电技术 > 单元电路介绍 > 其它电路
过电压输出保护电路
来源:本站整理  作者:佚名  2011-04-09 08:59:43



  为放大器输出增加晶体继电器和控制电路,提供 过电压 保护。

  在测试测量应用中,必须为放大器输出终端、能量供给和类似元器件提供过电压保护。实现这个任务的传统方法是与钳位二极管一起,在输出节点到电源轨或其他门限电压之间,增加串联电阻(参考文献1和图1)。电阻显著减小了输出电流能力和电压输出随低电阻负载的波动。另一个方法是使用保险丝或其他限流设备,它们比二极管具有更高的能量吸收能力。图2中电路为双极电流源,当源电阻R6上压降增加到大于耗尽型MOSFET Q1和Q2的门限电压时,通过二极管限流(参考文献2)。这个方法的缺点是过载情况下,串联器件上能量耗散高。

实现这个任务的传统方法

双极电流源

  输出终端出现过载电压时,合理的方法是将放大器输出节点与输出终端分离一段时间。依靠音频功率放大器中的机电继电器,有经验的工程师已使用这种串联分离,但出于不同原因:扩音器保护。 SSR (固体继电器)包括optoeleCTRonIC、photovoltaic、OptoMOS和PhotoMOS设备,由于控制和负载管脚之间的电隔离,在适度电流水平上满足负载分离任务(参考文献3)。

  图3的串联保护电路,使用串联高压SSR分离放大器输出终端。输出电压增加到正参考电压限以上或降到负参考电压限以下,通过AND逻辑器件IC5,引起IC2或IC3比较器改变其输出状态,并关闭SSR IC4。图4显示实现这个方法的简单电路。

串联保护电路

实现这个方法的简单电路

  图4电路只需要一对外部器件,用SSR实现输出过电压保护。增加过电压关闭IC2中的电阻,通过IC3的控制LED中断电流流动。继电器IC3断开,保护放大器和钳位二极管。无论是否存在内部电流保护,电路用Clare、Matsushita Electronic Works和Panasonic SSR测试。供电电源采用±15V;R10、R11和R12设置触发点为±16V。省略R11偏移触发点到±14.5V。保护电路操作下,带0.5V过电压保护的SSR断开延时100到200µs,更高的过电压延时时间稍有减小。注意到,通过钳位二极管,电流峰值比带低电阻SSR更高。

  英文原文:

  Circuits protect outputs against overvoltage

  Adding a solid-state relay and control circuitry to an amplifier's output provides overvoltage protection.

  Dimitri Danyuk, Kiev, Ukraine; Edited by Charles H Small and Fran Granville -- EDN, 10/11/2007

  In test-and-measurement applications, you must provide overvoltage protection for the output terminals of

amplifiers, power supplies, and similar components. The conventional way to aCComplish this task is to add series resistors with the output node along with the clamPINg diodes to power-supply rails or other threshold voltages (Reference 1 and Figure 1). This resistor signifiCANtly reduces current-output capability and the output-voltage swing with low-resistance loads. The aLTErnative approach is to use fuses or other current-limiting devices, which precede these clamps’ high energy-absorption capability. The circuit in Figure 2 works as a bipolar current source when the voltage drop across source resistor R6 becomes larger than the gate-threshold voltage of depletion-mode MOSFETs Q1 and Q2, thus limiting the current through the clamping diodes (Reference 2). The drawback of this approach is high power disSIPation on series components during the overload condition.

[1] [2]  下一页

关键词:

文章评论评论内容只代表网友观点,与本站立场无关!

   评论摘要(共 0 条,得分 0 分,平均 0 分)
Copyright © 2007-2017 down.gzweix.Com. All Rights Reserved .
页面执行时间:29,929.69000 毫秒