2．3 PSR的仿真
    图6为工艺角tt，vCC=8.5V，t=27℃时的PSR的仿真，此基准对电源干扰的抑制能力较强，4．75V输出电压在工作频率60 k左右时的PSR达到了-75．1 dB，能有效抑制由半桥产生的震荡；而且对来自数字部分的高频震荡也有较强的抑制能力。

    表1为输出电压bg在不同工艺角下的PSR的仿真结果，本电路在不同工艺角下都能在高电源干扰的芯片中正常工作。

3 结论
    本文通过结合LDO与Brokaw基准核心，设计出了高PSR的带隙基准，此带隙基准输出的1．186 V电压的低频PSR为-145 dB，最高PSR为-36 dB，温漂可以达到7．5 ppm，适用于电子镇流器芯片。本设计还优化了启动部分，使新的带隙基准可以在短时间内顺利启动。此电路根据需要还可以修改基准核心中的Rc3、Rc4，采用多段电阻分压方式，以输出多种参考电压，方便灵活定制芯片。

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