2.2 温漂仿真

　　图5为不同工艺角下的温漂仿真。仿真结果表明，此电路可以达到ref-45 ppm、bg-7.5 ppm的低温漂。实际电路存在器件的不匹配和误差等，虽然达不到理论上的温漂，但通过仔细布版、修调带隙核心电路中Rc1、Rc2，可以达到较低的温漂。

　　2.3 PSR的仿真

　　图6为工艺角tt，vCC=8.5V，t=27℃时的PSR的仿真，此基准对电源干扰的抑制能力较强，4.75V输出电压在工作频率60 k左右时的PSR达到了-75.1 dB，能有效抑制由半桥产生的震荡；而且对来自数字部分的高频震荡也有较强的抑制能力。

　　表1为输出电压bg在不同工艺角下的PSR的仿真结果，本电路在不同工艺角下都能在高电源干扰的芯片中正常工作。

　　3 结论

　　本文通过结合LDO与Brokaw基准核心，设计出了高PSR的带隙基准，此带隙基准输出的1.186 V电压的低频PSR为-145 dB，最高PSR为-36 dB，温漂可以达到7.5 ppm，适用于电子镇流器芯片。本设计还优化了启动部分，使新的带隙基准可以在短时间内顺利启动。此电路根据需要还可以修改基准核心中的Rc3、Rc4，采用多段电阻分压方式，以输出多种参考电压，方便灵活定制芯片。

 　电子镇流器的供电方式为半桥输出接稳压管给芯片供电，其输出电压为高压正弦波（50～100 kHz），加之芯片内数字部分的干扰，这就给芯片的电源带来较大的干扰。因此对芯片内基准的中频PSR（Power Supply Rejection，电源抑制）有较大要求。本文从此角度在Brokaw带隙基准的基础上进行改进，采用LDO与基准的级联设计来增加其PSR。

　　1 电路结构

　　1.1 基准核心

　　目前的基准核心可以有多种实现方案：混合电阻，Buck voltage transfer cell，但是修调复杂，不宜工业化。本设计采用Brokaw基准核心，其较易实现高压基准输出，并且其温漂、PSR及启动特性均较好。本文采用的改进的Brokaw基准核心的结构如图1所示。

　　对此核心的分析：

　　三极管的输出电流公式：

　　其中I是三极管射极电流，Is与射极面积成正比，n为一常数，取1。这里，取VQC2：VQC1=8：1，因此Is2=8xIs1，又I1=I2，分别代入（1）并相除，整理得：

　　其中Vbe1是负温度系数，Vt是正温度系数，RC2与RC1是同类电阻，温度系数相抵消，选择合理的RC2／RC1，就可以得到一阶补偿为0的基准电压，可以很好的满足本芯片的要求。

　　在电流镜的选取上，采用威尔逊电流镜，精度高，不需外加偏置电路，因此电源抑制比较高。输出管采用mos管，对VQC5、VQC1支路电路影响小。通过增加MC1，使VQC2和VQC1的集电极电位相近，减小误差。

　　产生的Vref为4.75 V，在放大电压的同时，PSR、温漂均放大了4倍，即PSR升高了12 dB（在随后的仿真波形中可以看到）。

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