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高电源抑制的基准源的设计方案
来源:本站整理  作者:佚名  2011-08-23 15:18:57



  但是,由于本设计采用LDO供电,而LDO的参考电压是bg,存在死循环,即bg低,则LDO低,所以基准核心的VQC5无法给VQCS2提供电流,也就无法提高VQC2的电压即bg,因此需要外界提供大电流bias-start,使得当LDO无法启动基准核心时,此电流可以足够大,在RC4上产生的压降使bg达到足够大,继而LDO达到使基准核心启动所需的最低电压,从而使电路进入自动修正状态,最终使bg和ref达到指定电压.

  这样虽然能启动,但是,正常工作时,此大启动电流bias-start将通过VQCS1和VQCS3流向地,增加了系统的负担.因此,在电流输出管MB3下加入控制管MBC,并使得在正常工作时,LDO的高电压足以使MBC关断,从而降低启动电路的损耗.

  2 仿真与分析本次设计的仿真基于ASMC的1 μm的高压BCD工艺.

  2.1 启动仿真图4是工艺角为tt,t=27℃时的启动仿真,此基准需要3 μs就可建立正常状态,这是由于基准核心中的CC1选取为比较小的2 pF的结果,这样做的另一个结果就是中频PSR有所降低,实际电路可根据需要选取Cc1的大小,如果需要中频PSR较大,但对启动时间要求较低时,可以选取大Cc1(如Cc1选取10pF,则最高PSR将降为-28dB,但启动时间升至10μs).LDO、ref、bg的启动过程比较平稳,没有过冲现象.

  MBC控制作用的简述:在1μs时流过100μA的启动电流,当LDO、ref、bg建立最低工作电压后,启动电路开始关断过程,电流急剧减小,并最终在2μs时接近0A。整个电路正常运行时消耗的电流是266μA。

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