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处理交流信号时，digiPOT的性能受带宽和失真的限制。受寄生器件影响，带宽是指在小于3 dB衰减时能够通过digiPOT的最大频率。总谐波失真 (THD)(此处定义为后四个谐波的rms之和与输出基波值的比值)是信号通过器件时衰减的量度。这些规格涉及的性能限制由内部digiPOT架构决定。通过分析，我们可以更好地全面了解这些规格，减少其负面
内部架构已从传统的串联电阻阵列(如图6a所示)发展至分段式架构(如图6b所示)。主要的改进是减少了所需内部开关的数量。第一种情况采用串行拓扑结构，开关数量为N = 2n是分辨率的位数。 n = 10, 时，需要1024个开关
图6. a)传统架构，b)分段式架构
专有(专利)分段式架构采用级联连接，可以最大限度地减少开关总数。图6b的例子显示的是两段式架构，由两种类型的模块组成，即左侧的MSB和右侧的LSB。
左侧上下模块是一串用于粗调位数的开关(MSB段)。右侧模块是一串用于精调位数的开关(LSB段)。MSB开关粗调后接近RA/RB比。LSB串的总电阻等于MSB串中的单个阻性元件，LSB开关可对主开关串上的任一点进行比率精调。A和B MSB开关为互补码。
分段式架构的开关数量为:
N = 2m + 1 + 2n – m,
其中n是总位数，m是MSB字的分辨率位数。例如n = 10 and m = 5, 则需要96个开关。
分段式方案需要的开关数少于传统开关串:
两者相差的开关数 = 2n – (2m + 1 + 2n – m)
在该例中，节省的数量为
1024 – 96 = 928!
两种架构都必须选择不同电阻值的开关，充分考虑到模拟开关中的交流误差源。这些CMOS(互补金属氧化物半导体)开关由并行P沟道和N沟道MOSFET构成。这种基本双向开关可以保持相当恒定的电阻(RON) 信号可达完整的供电轨.
带宽
图7显示的是影响CMOS开关交流性能的寄生器件.
图7.CMOS开关模式.
CDS = 漏极-源级电容; CD = 漏极-栅级 + 漏极-体电容; CS = 源级-栅级 + 源级-体电容.
传递关系如以下公式定义，其中包含的假设为:
源阻抗为 0
无外部负载影响
无来自CDS的影响
RLSB << RMSB
其中:
RDAC是设定电阻
RPOT是端对端电阻
CDLSB是LSB段的总漏极-栅级 + 漏极-体电容
CSLSB是LSB段的总源级-栅级 + 源级-体电容
CDMSB是MSB开关的漏极-栅级 + 漏极-体电容
CSMSB是MSB开关的源级-栅级 + 源级-体电容
moff是信号MSB路径的断开开关数量
mon是信号MSB路径的接通开关数量
传递公式受各种因素影响，与代码存在一定关联，因此我们采用以下额外假设来简化公式
CDMSB + CSMSB = CDSMSB
CDLSB + CSLSB >> CDSMSB
(CDLSB + CSLSB) = CW (详见数据手册)
The CDS对传递公式没有影响，但由于其出现的频率通常比极点高的多RC 低通滤波器是主要的响应。理想的近似简化公式为：
带宽(BW)定义为:
其中CL是负载电容.
The BW与代码有关，最差的情况是代码在半量程时，AD5292的数字值为29= 512，AD5291的数字值为27 = 128 (见目录). 图8显示的是低通滤波效应，它受代码影响，在不同标称电阻与负载电容值时会发生变化.
图8.各种电阻值的最大带宽与负载电容
PC板的寄生走线电容也应加以考虑，否则最大带宽会低于预期值，走线电容可以采用以下公式简单计算：
其中
&epSILon;R是板材的介电常数
A是走线区域(cm2)
d是层间距(cm)
如，假设FR4板材有两个信号层和电源/接地层, εR = 4, 走线长度 = 3 cm宽度 = 1.2 mm, 层间距 = 0.3 mm; t则总走线电容约为 4 pF.
失真
THD用于量化器件作为衰减器的非线性。该非线性由内部开关及其随电压变化的导通电阻 RON而产生。图9所示为放大的幅度失真示例.
图9.失真
与单个内部无源电阻相比，开关的RON很小，其在信号范围内的变化则更小。图10显示的是典型的导通电阻特性。
图10.CMOS电阻
电阻曲线取决于电源电压轨，电源电压最大时，内部开关的RON 变化最小。电源电压降低时，RON 变化和非线性都会随之增加。图11对比了低压digiPOT在两种供电电平下的 RON
