目前虽大部分工作电压在12V以下，但还有少数工作在24V以上。采用N沟通功率MOSFET可以组成48V高电压极性接反保护电路。这是因为N沟道管的VDS最大可达50V~60V。但它们的VGS最大值仅20V，所以高电压极性接反保护电路中要考虑保护VGS不超过极限值。一种可用于VCC=48V的极性接反保护电路如图所示。

　　图4中增加了保护VGS不致过压的稳压二极管及一个限流电阻。稳压二极管可采用10V～12V．限流电阻R可用下式确定

　　式中Vz为稳压二极管的稳压值。

　　例如，VZ=10V，流过稳压二极管的电流为3mA，则R为12kΩ。

　　MOSFET的选取可采用双N管的功率MOSFET，如Si9955、Si9956及Si9959。它们的极限VDS、VGS及在VGS-10V的ID值如表1所示。

　　从表1可知.Si9956适合工作电压Vcc-12V以下的，而Si9955可适合36V的，而Si9959可适合48V的。

　　实验电路实验电路如图所示。

　　由5Ω／5W电阻代替负载电路，用1kΩ串接LED作负载通断指示。工作电压Vcc=5V。功率MOSFET采用Si9956。

　　接通电源后，LED亮，测电源电压为4.99V，测VSD=O.10V，VGS= 4.87V，-ID=0.964A（因为电流从源极S流向漏极D，所以ID是负的）。

　　下图电路适合Vcc-5V～12V，工作电流从2A~3A（要看Vcc电压大小而定，Vcc高，VGS大，ID也大）。 下图的电路也做了电源极性接反试验，Vcc用18V，将电源极性反接一分钟，然后恢复Vcc为5V，即按正确极性连接，电路工作正常，说明此电路保护极性接反是可靠的。

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