用便携式电子产品主要由电池供电，为延长电池寿命，通常也设置外接电源供电插座。由于外接电源插头的正、负极位置设计上并不统一，若随便借用一个电源电压正确而电源极性不对的插头式电源，则有可能损坏电路。另外，如果用户装电池时将电池极性装反，也会造成电路中的IC损坏。

　　为防止电源极性接反而损坏电路，可在电路之前串接一个二极管来保护，如上图所示。若电源极性接反，二极管反向截止起到保护作用。硅二极管的正向压降VF=0.65V~1V（由流过二极管的电源大小而定）；肖特基二极管的VF=0.3V～0.6V。若采用中图方案作电源极性接反保护，则无论电源的极性如何都能保证电路正常工作，但二极管上的压降要比上图大一倍。这种电路仅适用于高电压电源的场合。

　　本文介绍用双N管MOSFET组成的电源极性接反保护电路，其性能要比上图、中图方案好得多。保护电路如下图所示。其工作原理如下：当电源极性正确时，N沟道MOSFET中的二极管先给电路构成通路，即电源正极经负截、二极管后到负极。此时，MOSFET的源极S对地约0.7V，而栅极G对地为VCC，所以VGS近似等于Vcc-0.

　　7V，只要Vcc≥3V，MOSFET即可导通。实际通电后，MOSFET马上导通，电流是经过MOSFET，而不是经过二极管的。MOSFET导通后由于VSD远小于二极管正向压降，故电源利用率比二极管好得多。这一点可经下面的实验证实。在电源极性接反时，VGS-O．MOSFET截止，二极管反偏，电路得以保护。

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