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电路输入级由全波整流桥和一个滤波电容组成，完成对交流电的整流滤波。控制级由HV9910B芯片搭建，经输入级滤波后的电压输入到芯片的Vin，作为电路的输入电压VI，其峰值是310 V，均值为190 V。VDD、LD、PWMD端通过电容器接GND端，以维持相应引脚的片内电压。由GATE端输出频率一定的方波脉冲信号作为开关信号控制开关管，其频率由RT端所接的电阻设定，脉冲宽度由CS端采样电阻RCS反馈的LED电流信号控制。电感L1电路中起着至关重要的作用，为驱动电路提供滤波和储能以及续流供电，以保持负载中电流的均衡性，恢复二极管完成构建续流通路的作用。在开关信号开通半周内，由前级滤波后的电势向LED负载直接供电，并给L1充电；在开关信号关断半周内，由充满能量的L1给快恢复二极管、LED组成的回路供能，实现在一个周期内完成对LED的持续驱动。
2．2．1 电路参数计算和器件选择
参考芯片的使用手册和具体电路要求可以确定芯片的外围器件参数，首先必须确定电路的工作频率。由RT引脚接阻值为226 kΩ～1 MΩ的电阻，设定GATE引脚输出的开关信号频率。该频率的选择与电感L值和开关管性能有关，一般在市电供电条件下，频率选择在25～150kHz。当选择过高频率时，需要的电感值较小，但对开关管的要求很高，此时开关管功耗比低频工作时大很多。试验中，先设置到100 kHz开关频率，在没有散热的情况下MOSFET发热量大，极易烧毁。当频率设置到26 kHz时，计算所得电感很大，在工作状态中电感上消耗过多能量，也不适合电路的高效率工作，所以开关工作频率选50 kHz。
LED的驱动电流设定为0．35 A，根据芯片手册中提供的计算公式可得到RT值为478 kΩ，在设计允许范围内可以使用470 kΩ电阻用作RT，采样电阻RCS=0．62 Ω。
电感L1取值与LED电流的纹波值有关，一般限制纹波系数最大为0．3，电感值的计算公式为
电路驱动了10个LED，其VLEDS为33 V，Vin是经过全波整流和滤波后的峰值电压，其值为310 V，ILED和fs取值同前，代入式(2)计算得到L1=5．6 mH，电路中选用6．8 mH的电感。
MOS管选取了性能优良的删，其最大耐压500V，最大漏极电流5A，导通电阻0.6Ω。二极管选取快恢复二极管BYV26B，其反向耐压VD=500 V，正向平均电流1 A，正向导通压降1．2 V。电容C2作为输出滤波电路实现电压滤波，C2在4.7～33μF的电容中选取，前级的滤波电容C0选择4．7～33μF的极性电容，电容C1使用22μF无极性电容。全波整流桥要求有高耐压和大的过电流，电路中选取DB206S，可耐脉冲高压800V，浪涌电流2 A，满足电路设计要求。
2．2．2 电路效率理论计算参考
整个电路中的主要损耗由功率MOS管、采样电阻、负载LED相连的电感L1、快速二极管以及芯片HV9910B产生。根据文献所提供的相关公式和特定型号的原件参数，可以计算得到该电路的总体功耗PLOSS=PMOS+PDIODE+PINDUCTOR+PIC+PRS=0.032+0.389+0.613+0.31+0.008=1.352 W。
电路输出电功率为Po=33 x0．35=11．6 W，电路的整体转换效率η=11．6／(1．35+11．6)×100％=89.57％。从效率理论计算结果来看，该设计电路性能优良。
