3．稳压电路
　　
　　稳压电路主要由三端精密稳压集成电路ICB804(SIA32)、光电耦合器PCB803和ICB800组成。

　　当电源电压过高或负载减轻时．5v电压升高。其南RB835、RB836、RB837等组成的取样电路的取样电压升高．加到ICB804的(1)脚电压升高，该电压与ICB804内部的1.24V基准电压比较后，内部比较器输出的电压随之升高，控制ICB804的(3)脚输入电流增大。光电耦合器PCB803内部的发光二极管的发光强度增大．光电耦合器内部的光敏三极管等效电阻降低．18.5V电压经RB809.PCB803内部的光敏三极管加到ICB801的(3)脚电压增大，经ICB801内部处理后，使ICB801内部的功率MOS晶体管导通时间减小．TB801的储能时间减小，磁通减小．TB801的次级感应电压降低，经DB808、CB815、LB800、CB820整流滤波后的直流电压降低而回落到5v。

　　当某种原因使5.1V电压下降时．稳压过程与上述过程相反。CB805为尖峰吸收电容，主要是防止干扰信号影响Sv电压输出。
　　
　　4．热地所需的低电压输出
　　
　　TB801接热地部分的次级绕组产生的感应脉冲经RB819限流,DB806整流、CB813滤波后形成热地部分的17.7V电压．为热地部分的集成电路供电。

　　5．待机5V形成电路的保护电路
　　
　　待机5v形成电路主要由尖峰吸收电路和VIPer22A内部的过流、过压、过热保护电路组成。

　　(1)尖峰吸收电路
　　
　　本机的尖峰吸收电路由DB804、RB816、CB809组成。在ICB801内部的功率MOS晶体管处于导通状态时．CB803上的电荷向ICB801流动，由于DB804的负端电压比正端电压高，所以DB804截止：当ICB801内部的功率MOS晶体管由导通转为截止瞬间时，由于电感两端的电流不能突变．ICB801内部的功率MOS晶体管的漏极端会瞬间产生一个尖峰电压。如不接尖峰吸收电路，功率MOS晶体管很容易在关断瞬间过压击穿。当接人尖峰吸收电路后,TB801初级产生的尖峰电压经DB804、RB816、CB809反馈回电源，保护ICB801内部的功率MOS晶体管不被关断时过压击穿。。

　　(2)ICB801内部集成的保护电路过流保护：当5v形成电路过流时．ICB801内部的功率MOS晶体管的源极电流经内部电流取样电阻(230Ω)源极的电压增大，当检测到的电流值达到设定值时，内部比较器翻转，功率MOS晶体管截止．5v形成电路没有电压输出，工作在“打嗝”

　　保护状态。

　　过压保护／稳压开路保护电路：当稳压回路开路或交流输入电压过高时，DB805、CB807整流滤波后的电压升高，当该电压升到42V时，内部电压比较器翻转．5v形成电路无电压输出。

　　过热保护：当某种原因造成集成电路内部的芯片温度达到140℃时，内部的温度控制电路起控，功率MOS晶体管截止．关断5v形成电路的电压输出。

　　6. 5VSB电压输出控制电路
　　
　　这部分电路主要由DB833、CB831、QB810、RB875、RB874、RB872、RB873等元器件组成，电路如下图所示。正常工作时,DB808整流输出的5.1V电压经CB815、LB800、CB820滤波后，加到P沟道场效应管QB810的漏极图6 5VSB电压输出控制电路  的同时,5.1V电压经RB872、RB873分压后加到QB810的栅极；DB833、CB831整流滤波后输出的负电压经RB875、RB874限流后，也加到QB810的栅极，QB810因栅极变为负电压而导通，输出5VSB电压。

　　当AC突然断电时，TB801的次级无感应电压输出，DB808、DB833均无脉冲整流输出．CB831的容量远小于CB815、CB820的容量，所以CB831上的电荷迅速释放完，QB810的栅极变为正电平，QB810截止，关闭5VSB电压输出。

　　当比较器ICB800的(7)脚输出高电平时，该电平经过PCB805内部的发光二极管（(1)(2)脚）、PCB801S内部的发光二极管（(1)／(2)脚）到地，内部的发光二极管发光，5.1V电压经PCB801S内部的光敏三极管送到QB810的栅极，QB810的栅极迅速变为正电平，QB810截止，关闭5VSB电压输出。

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