上图是直流电机的驱动电路，用P沟道和N沟道大功率MOSFET组成全桥电路。正转(cw)时Trl和Tr3导通、Tr2和Tr4截止。反转(CCw)时Trl和Tr3截止、Tr2和Tr4导通。但是实际工作时发现电机正转或反转时，瞬间不是Tr3、Tr4被烧毁就是Trl、Tr2被烧毁。

　　Tr2和Tr3是N沟道，当VGS大干2V时导通，小于2V时截止。因此微机输出的是ov或5v的信号。下图是Tr2和Tr3导通时的简化电路。中图是Trl和Tr4（P沟道）的VGS-Io特性，当VGs低于一2V(栅极电位比源极电位低2V以上)时FET导通。

　　在上图中，正转时微机D4端为了让Tr4截止．输出5V电压，但是Tr4的栅极和源极间所加的实际电压不是+5v．而是电机的电源电压(10V)和Sv的差为-5v，所以Tr4并没有截止。也就是说，Tr4经常都是呈导通状态。所以在Tr3导通后的一瞬间，由于Tr4和Tr3在电源和地之间形成了短路．短路电流使Tr3和Tr4.在瞬间烧坏。

　　同理，在进入反转时Trl和Tr2也会被烧坏。

　　解决的方法如下下图所示，在微机的输出端DI、D4与Trl、Tr4的栅极之间插入一级晶体三极管反相器，将微机输出的Ov或5v的控制电压变换成10V或ov的控制电压。由于这个反相器，微机Dl、D4输出的控制信号电平与上图时正好相反，正转时Dl和D3为“H”．反转时D2和D4为“H”。