IR2117的结构及特点决定了它可用来驱动一个高端或低端MOSFET或IGBT,图4给出了应用IR2117驱动MOSFET而设计的斩波器的系统原理图,图中PWM的脉冲形成由专用集成电路TL494来获得,VB应用自举技术获得,图4(a)与图4(b)分别给出了IR2117用来驱动高端和低端MOSFET的主电路原理图。