h参数的下标e表示共发射极接法，i表示输入；r表示反向传输；f表示正向传输；o表示输出，其中
   
    由h参数方程可知，电压vBE由两部分组成，第一项表示由iB产生一个电压，所以hie为一电阻；第二项vCE由产生一个电压，因而hre无量纲；所以B-E间可以等效成一个电阻与一个受控电压源串联。
    电流IC也由两部分组成，第一项表示由iB控制产生一个电流，因而hfe无量纲；第二项表示由vCE产生一个电流，因而hoe为电导；所以C-E间可以等效为一个受控电流源与一个电阻并联。这样得到的晶体管的等效模型如图8所示。由于h参数方程中的4个h参数的量纲都不同，故称为h参数等效模型。

2．2 等效电路法的简化模型
    输入回路：从前面对晶体管的特性分析可知，当晶体管工作在放大区时，C-E间的电压对输入特性曲线的影响很小，即管子的内反馈可以忽略不计，可以vCE>VBE用的任意一条特性曲线取代vCE>VBE的所有特性曲线。因此，认为hre=0，则晶体管的输入回路只等效为一个动态电阻rBE(hie)。
    输出回路：当晶体管工作在放大区时，C-E间电压的变化对iC的影响很小，即在放大区输出特性曲线几乎是横轴的平行线，可以认为C-E间的动态电阻1／hoe无穷大。因此，hoe近似为0，晶体管的输出回路只等效为一个电流iB控制的电流源βiB(hfeiB)。简化后的h参数等效模型如图9所示。

3 结束语
    分析了晶体管等效模型，其分析结论可直接用于分析由晶体管所构成放大电路的各种动态参数，该结论完全可以适用于场效应管及其组成的放大电路中，而其他类型放大电路如差分放大电路、功率放大电路，还有由许多基本电路构成的集成运算放大电路，由于其基本构成与晶体管、场效应管放大电路相同，所以同样可以采用等效电路法来分析。

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