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要实现不对称半桥的软开关，不对称半桥的参数设计需要满足以下2个条件，即：
式中：Zn为特性阻抗，
；D为开关管Q1的占空比；C为开关管Q1和Q2的寄生电容；ωk为谐振角频率；Lk为变压器初级漏感；I0为负载总电流；td为死区时间；n为变压器初、次级匝比。
2．2 驱动电路
不对称半桥驱动电路，如图3所示。驱动集成芯片采用IR公司的IR2103，其输出级作为推挽驱动输出，以直接耦合的方式与主电路的开关管相连接，由HO和LO的输出分别作为驱动桥式电路的上、下桥臂。为了实现上桥臂驱动电路的地电位与主电路的同步浮动，采用由DB和CB组成的外接自举电路。
二极管DB的耐压决定式为：
式中：Uc为驱动电源的电压；Ud为不控整流输出的电压。DB的电流容量，JDm的决定式为：
式中：fs为器件开关频率；Qg为MOSFET栅荷。
