1．5 输出滤波电容的计算和设计
    输出滤波电容要考虑工作频率，纹波大小，电容的ESR及ESL，由于有源箝位工作在200kHz之下，又考虑到成本，所以必须选择优质的低ESL及ESR铝电解电容，减小每个电容的容量，增加并联电容的数量，由于工作频率的提升已经比67．5kHz的方案少用一半容量的电容，因此上策是数量不变，减小单个容量，大约减一半左右。
   
    这是最小的限定值，实际应该参照ESR、ESL大约加出50～80％，应对负载的变化，限制瞬态电压不超过3％，则有：
   
    为了减小噪声，在电解电容的最终点要加入一支瓷片电容消除噪声，容量为10μF左右。
1．6 功率变压器的设计
    功率变压器的设计计算与硬开关状态的计算方法完全一致，再测出Lm，Lr。接入电路后，先串入外部电感Lr，调好功率MOS的ZVS状态后，取下外串电感Lr，加入气隙达到与试验相同的主功率MOS的ZVS状态，记录此时变压器的Lm及Lr，以上即为设计结果。变压器的导线切记f=200kHz，而不能选择d超过0．27mm的导线。大电流时宜选择铜箔，铜箔应纵向切开缝隙减少涡流损耗。在磁芯磁密选择时考虑到200kHz频率，B值不宜超过2200高斯。

2 箝位电容MOS及相关元件的设计
    变压器驱动法，IC驱动法可参考L6384的驱动设计。
    对于箝位电路，核心是令变压器磁芯完全复位，使其工作在第I和第Ⅲ象限，这里主要按伏秒积考虑。
   
    箝位电容较大时，主功率MOS耐压可以降低，箝位电容较小时，变压器复位时间较长，按工作频率及主功率MOS的波形，做最后调试决定。

3 功耗计算及效率预估
3．1 主功率及箝位MOSFET的功耗
    选定主功率MOS之后，查出其RSDON，工作在ZVS状态，主要功耗为导通损耗。
   
    但是其Coss充放电造成的谐振损耗是拿不掉的，应该计算。其计算式为：
   
    式中，VCL为箝位电容上的电压最高值。驱动损耗的发热在驱动器部分不在MOS上。实际上因为达不到绝对的零开关损耗，实际损耗比上述计算值要大出10％左右。
    箝位MOS的功耗更难于计算，可按主功率MOS功耗的30％来估算。

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