3．2 同步整流MOS QF的功耗
   在最坏条件下，QF功耗主要为导通损耗，其次为开关损耗。
   
   
    开关损耗为开启损耗及体二极管反向恢复损耗，两项加在一起可按导通损耗的50％估算。
   
3．3 回流MOS QR的功耗
    在最坏情况下，QR的功耗主要为导通损耗及体二极管反向恢复损耗。
   
3．4 其它损耗
    (1)功率变压器的损耗
    功率变压器损耗的计算很繁锁，为简化设计按总功率的1．5～1．8％估算，其损耗来源为铜损及铁损，铜损由导线电阻造成，若是铜箔还有涡流损耗。铁损即磁芯损耗，主要为磁滞损耗及涡流损耗。
    (2)输出滤波电感的损耗
    输出滤波电感的损耗与变压器类似，主要是铜损及铁损，按总功率的0．5～0．8％考虑估算。
    (3)输出滤波电容的损耗
    输出滤波电容的损耗主要为在开关频率下的ESR、ESL以及电解电容的漏电造成，此部分开始估算时可以忽略。
    (4)控制电路的功耗
    控制电路的功耗包括初级的控制IC静态功耗，对主功率MOS，箝位MOS的驱动功耗，对同步整流MOS的驱动功耗，反馈放大器及光耦部分的功耗，可按0．5％的总功耗估计。

4 其它设计
4．1 PFC设计
    PFC按CCM方式设计，建议选择ICE1PCS01或NCP1653。工作频率建议选为PWM的一半，若能令两者同步更为可取。主要求出升压电感L，升压二极管D，主功率MOSFET-Q的选择及功耗计算，Bulk电容的计算和选择。
    对于PCB设计，由于有源箝位方式的工作频率比双晶正激电路高一倍多，所以它的PCB-Layout要给予更多的关注。可按照PFC、PWM控制IC的应用注意认真处理。
4．2 输出设计
    对于5V及3．3V的输出设计，建议选择Post Regulator方案，当然按成本考虑也可以采用磁放大器：在反馈系统设计时，建议选择开环增益更高的运算放大器LM358。

上一页  [1] [2] [3]