处理器技术的发展由于更高的集成度、更快的处理器运行速度以及更小的特征尺寸，内核及I/O电压的负载点(POL)处理器电源设计变得越来越具挑战性。处理器技术的发展必须和POL电源设计技术相匹配。5年或10年以前使用的电源管理解决方案，对于当今的高性能处理器而言，可能不再那么行之有效了。因此，当我们为TI的DaVinci数字信号处理器 (DSP)进行POL电源解决方案设计时，对基本电源技术的充分了解可以帮助我们克服许多设计困难。本文将对一系列适用于该DaVinci处理器的电源去耦、浪涌电流、稳压精度和排序技术进行讨论。我们将以使用了 TI 电源管理产品的一个电源管理参考设计为例来提供对这些论述的支持。

　　能量之源——大型旁路去耦电容

    处理器所使用的全部电流除了由电源本身提供以外，处理器旁路和一些电源的大型电容也是提供电流的重要来源。当处理器的任务级别(level of activity)急剧变化而出现陡峭的负载瞬态时，首先由一些本地旁路电容提供瞬时电流——这种电容通常为小型陶瓷电容，其可以对负载的变化快速响应。随着处理速度的增加，对于更多能量存储旁路电容的需求变得更为重要。另一个能量来源是电源的大型电容。为了避免出现稳定性问题，必须注意一定要确保电源的稳定性，并且可以利用添加的旁路电容正确地启动。因此，我们要保证对电源反馈回路的补偿以适应额外的旁路电容。电源评估板 (EVM) 在试验台上可能非常有效，但在负载附近添加了许多旁路电容的情况下其性能可能会发生变化。

　　作为一个经验法则，我们可以通过尽可能近的在处理器功率引脚处放置多个0603或0402电容（60用于内核电压，而30用于DM6443的I/O电压），从而将DaVinci电源电压从系统噪声中完全去耦。更小型的0402电容是较好的选择，因为其寄生电感较低。较小的电容值（例如，560pF）应该最为接近功率引脚，其距离仅为1.25cm。其次，最为接近功率引脚的是中型旁路电容（例如，220nF）。建议每个电源至少要使用8个小型电容和8个中型电容，并且应紧挨着BGA过孔安装（占用内部BGA空间，或者至少应在外部角落处）。在更远一点的地方，可以安装一些较大的大型电容，但也应该尽可能地靠近处理器。

　　浪涌电流

    具有大旁路电容的电源存在启动问题，因为电源可能无法对旁路电容充电，而其正是启动期间满足处理器要求所需要的。因此，在启动期间，过电流可能会引起电源的关断，或者电压可能会暂时地下降（变为非单调状态）。一个很好的设计实践是确保电压在启动期间不发生压降、过冲或承受长时间的高压状态。为了减少浪涌电流，可以通过增加内核电压电源的启动时间，来允许旁路电容缓慢地充电。许多DC/DC调节器都具有独特的可调软启动引脚，以延长电压斜坡时间。如果调节器不具有这种软启动引脚，那么我们可以利用一个外部 MOSFET 以及一种RC充电方案，来从外部对其进行实施。我们还推荐使用一种带有电流限制功能的DC/DC调节器，来帮助维持一种单调的电压斜坡。实施一个软启动方案有助于满足DaVinci处理器的排序要求。

　　排序

    越来越多的处理器厂商将提供推荐的内核及I/O上电排序的时序准则。一旦获知时序要求，POL电源设计人员便可选择一种适当的技术。对一个双路电源上电和断电的方法有很多种：顺序排序和同时排序是最为常用的两种方法。

　　当在内核和I/O上电之间要求一个较短的毫秒级时间间隔时，我们就可以实施顺序排序。实施顺序排序的一种方法是，只需将一个稳压器的 PWERGOOD引脚连接至另一个稳压器的ENABLE引脚即可。当内核和I/O电压差在上电和断电期间需要被最小化时，就需要使用同时排序。要实施同时排序，内核和I/O电压应彼此紧密地跟踪，直到达到较低的理想电压电平。在这一点上，较低的内核电压达到了其设定值要求，而较高的I/O电压将可以继续上升至其设定值。

　　在自升压模式中，DaVinci处理器要求对CVDD和CVDDDSP内核电源进行同时排序。在主机升压模式中，CVDD 必须斜坡上升，并在CVDDSP开始斜坡上升以前达到其设置值(1.2V)。作为一个最大值，CVDDDSP 电源必须在关闭（开启）“始终开启”和DSP域之间的短路开关以前上电。我们可以以任何顺序启动I/O电源（DVDD18、DVDDR2和DVDD33），但是必须在CVDD电源100ms的同时达到其设定值。

　　稳压精度

    电源系统的电压容差有几个影响因素。电压基准精度就是最为重要的一个影响因素，我们可以在电源管理器件的产品说明书中找到其规范。新型稳压器要求达到±1%的精度或更高的温度基准精度。一些成本较低的稳压器可能会要求±2%或±3%的基准电压精度。请在产品说明书中查看稳压器厂商的相关规范，以确保稳压精度可以满足处理器的要求。另一个影响稳压精度的因素是稳压器外部反馈电阻的容差。

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