根据原理分析，+B电压低大致有下列几种情况。（1）稳压控制反馈环路有故障，如取样误差放大电路异常，使光耦（VD515）提前进入导通状态，或者光耦的三极管一侧漏电等原因，限制了+B电压。（2）电路中存在短路性故障，使过电流保护电路动作，电源处于间歇振荡状态。（3）电路中某个元件软击穿，使电路工作异常。按常规办法检查光耦的二极管上没有电压降，光耦的三极管一侧也不存在漏电现象（用指针表的R×10k挡测试），排除第一种可能。在路检测输出端整流二极管和初级的尖峰吸收电路等相关元件，没有发现明显短路问题，基本排除第二种可能。扩大范围，检查N501（STR-F6656）外围元件，特别是R522、K523（过电流取样电阻），也没有发现异常。初步怀疑是开关变压器匝间短路（比较罕见）或者某个元件软击穿（比较常见），导致过电流保护动作，限制了+B电压。为确定是否为过电流保护电路起控，用示波器精确测试过流取样电阻R522两端的脉冲电压（见图）。发现其电压值接近0.8Vp-p。根据STR-F6656的电路原理得知，当R522上的取样电压达到0.73Vp-p时，此电压送到IC的①脚，内部电路将产生过电流保护动作。本着先易后难的原则，保留+B整流滤波电路和稳压反馈电路，断开+B电路的负载和其他各路整流电路。再次开机测试，仍然存在过电流保护现象。但此时故障范围已经缩小到+B整流滤波电路和开关变压器本身。更换+B整流二极管VD551，开机后+B恢复正常。说明故障的根源就是VD551存在软击穿现象。实际测试该二极管的反向击穿电压仅仅只有50V。