对策：避免使用对RA口进行读-修改-写指令（如BCF RA， BSF RA），以免非意愿地改变RA4的输入/输出状态。对于RA口的操作应采用寄存器的操作方式（MOVWF RA）。

问题3：当CPU正在执行一条对INTCON寄存器进行读-修改-写指令时，如果发生中断请求，则读中断例程会被执行二次。这是因为当中断请求发生后INTCON寄存器中的GIE位会被硬件自动清零（屏蔽所有中断），并且程序转入中断例程入口（0004H）。当GIE位被清零后，如果这时正好CPU在执行一条对INTCON的读-修改-写指令（如BSF INTCON等），则 GIE位还会被写回操作重新置1，这样会造成CPU二次进入中断例程。

对策：如果在程序中需对INTCON的某一中断允许位进行修改，则应事先置GIE=0

，修改完成后再恢复GIE=1。 ………….. BCF INTCON, GIE BSF INTCON, ××× BSF INTCON, GIE …………..

图1

问题4：当芯片电压V_DD加电上升时间大于100μs时，电源上电复位电路POR和电源上电延时器PWRT可能不能起正常的作用，而使芯片的复位出现不正常（即PC≠复位地址）。一般在这种情况下建议不要采用PWRT。

对策：如果V_DD上升时间很长，此芯片一般需较长的电源上电延时，可靠的电源上电延时方法如图1所示，在MCLR端外接复位电路。

问题5：如果在A/D转换中用RA3作为参考电压输入，则最大满量程误差(NFS)要大于手册中的指标。实际情况如表1所示。

表1 A/D满量程误差表

问题1：PIC16C84的内部的E2PROM数据存储器的E/W周期偶尔会超出最大值（10ms）。

对策：在程序中应该用EECON1寄存器中的WR位来判断写周期的完成，或是启用“写周期完成中断”功能，这两种方法可保证写入完成。

问题2：V_DD和振荡频率的关系如表2所示。

摘自<<电子技术>>月刊，1995年第4期