运用Hspice对所提出的电路进行仿真，采用Chartered CMOS O．35μm工艺的nmos_3p3和pmos_3p3。为实现电路的滤波特性，采用的CCCⅡ结构如图3所示，仿真时电源电压VDD=1．65 V，VSS=一1．65 V，偏置电流IB为1．3μA，NMOS管的宽和长为W=10μm，L=2μm，PMOS管的宽和长为W=10μm，L=1μm。

由于所提出的电路较多，鉴于篇幅有限，在这里给出图2(d)的电路的仿真结果如图4所示。

图4(a)为C1=C2=20 pF，R=10 kΩ带通滤波器的幅频特性；图4(b)为C1=C2=20 pF，R=10 kΩ低通滤波器的幅频特性；图4(c)为C1=C2=10 pF，R=10 kΩ高通滤波器的幅频特性；图4(d)和图4(e)分别为C1=C2=10 pF，R=10 kΩ全通滤波器的幅频特性和相频特性。
    由实验数据的分析结果可以看出，在该滤波器电路中，通过不同的输入端，在输出端可以分别实现高通、低通和带通滤波功能显然仿真结果与理论分析一致，证实了电路的可行性。

4 结 语
    本文提出了基于CCCⅡ的双二阶电流模式多功能滤波器结构，该结构具有以下特点：
    (1)通过选择不同的输入端和输出端可以得到4个三输入单输出二阶多功能滤波电路，从而使该结构的使用更加灵活；
    (2)结构非常简单。整个电路结构仅由2个MOCCCⅡ和3个RC元件构成；
    (3)具有多功能性，可以产生电流模式二阶低通、高通，带通及全通滤波器；
    (4)具有较低的灵敏度；
    (5)固有频率ω0和品质因数Q相互独立可调。