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实验电路
实验电路1(下图)
VCC=5V、VCCN为高电平时约5V。负载电流IL为0.9A(用5Ω/5W电阻作负载)，用1kQ串接LED作负载通断指示。根据Vcc及IL的大小，光耦可选择4N25，功率MOSFET选择单P管Si9430。
为提高MOSFET的-VGS值，将R3取消，光耦的④脚直接接地。光耦的⑥脚不用（悬空）。设lc=2.5mA，略去光电三极管的VCE(sat)，则R2=2kΩ。
设IF-7mA，则R1为542Ω，取R1=500Ω，则IF=7.6mA。
实测数据如下：Vcc=4.78V，-VDS-90.2mV，-VGs4.54V，负载上电压VL=4.44V。
通过计算可得：
根据实测数据及计算可知；
1、负载电流实际值比要求值略小一些是Vcc电压与设计值差了0.22V的缘故；
2、MOSFET在接近1A时的管压降仅90.2mV；
3、在lc=2.27mA时，VCE=0.24V，光电三极管已饱和，IF取值适当；
