实验电路4(下图)　　

      VCC=18V，负载电流lOOmA，采用低端驱动（驱动管在负载的下边）。

　　光耦仍采用4N25，负载仍采用173Ω／3W电阻。功率MOSFET采用N管

　　从实测数据及计算可知：光电三极管未饱和，可适当增加R2或R3或者增加IF来提高VGS及减小VCE值。

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