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实验6（下图）
本实验的目的是试进一步减小IF（lc相应减低），但采用提高R2的办法看电路效果。这里将JF减到1,9mA．R2从2k提高到3.3k，R3从2k减到1kΩ，
电源电压VCC及负载电阻RL不变。
实验数据：Vcc=12.03V．-VGS=8.87V，-VDS=5.8mV,VL=12.03V;VE=2.71V。从上述数据可计算。
从计算数据来看JF减到1.9mA后，lc减小了，由于R2+R3的总值变化不大，所以光电三极管尚未饱和。若IF增加到2.5mA，其性能会相应提高。本实验进一步证明了用TLP121时可减小IF电流，但lc减小不多，性能比用4N25的IF=7.6mA还小一些。
结束语
这里做了较多的实验，其目的是更好了解一些参数的选择，采用4N25时．IF要用8mA，而采用TLP121时IF=2.5mA即可。如果采用低输入电流型TLP124，则可进一步减小IF值。
这些实验都是以Si94XX及Si99XX系列作为设计依据的。如果ve。要求更高，负载电流IL要求更大，可采用其它贴片式MOSFET，如下表所示。
另外，如果需要高压的光耦，可选用TLP127。它的CTR=1000，V( BR)CE0-300V。
