图2表示出LM48310的EMI性能。LM48310在完全未经滤波的情况下通过了FCC的B级标准，并用一条12英寸长的无掩蔽双绞线来驱动一个扬声器。 图3表示出纯扩展频谱器件在同一测试中的结果。正如图中所示，美国国家半导体的E2S D类放大器可达到极低的EMI水平，同时可保持优越的音频性能。

图4. LM48310示范板的丝网印刷图。

D类技术的最新发展显著减低了由D类放大器放射出来的EMI，但至于在射频(RF)干扰方面，适当的印刷电路板设计同样可大大降低放射量。毫无疑问，这是一个浩瀚的课题，而相关的文章也多如恒河沙数，但在这里仍值得讨论一下有关降低噪声和EMI的基本方法。首先，将带有开关信号的迹线隔离，从而可有效减少耦合到电路敏感部分的噪声。这个方法不单可加强音频性能，而且还可将产生寄生天线的机会降到最低。此外，也需要将模拟输入、模拟电源(供电给输入缓冲器、控制和其他敏感电路)和它们相关的旁路电容器从开关节点隔离，这包括器件输出、输出桥路电源和任何与这些节点相关的外部元件。

图5. LM48310示范板的顶层。

然而，不少D类放大器均拥有多个电源和接地，一个用在低噪声和输入电路，而另一个则用在较大电流和带噪声的输出级。假如个别电源和接地间的电位差太大，那器件便不能正常运行。可是，当器件在隔离印刷电路板的噪声区和宁静区运行时，要确保器件保持正常的电位差是一件非常艰巨的任务。图6所示为如何在隔离信号与功率接地的同时为器件保持统一的电位。由于所有的个别接地节点都连接到同一个覆铜(cupper pour)，该布局与星形接地的连接方式类似，使这些点上的接地电位保持一致。不过，嘈杂接地与无噪声接地本身是分隔开的，只有在接地进入电路板时才会连接在一起。这种方法可防止器件所产生出的噪声污染无噪声接地。图7所示相同的原理应用到VDD层上。电路板的左半边包括模拟音频输入、VDD和输入耦合电容器C1和C2。电路板的右半边包括输出、PVDD (H桥电源)和旁路电容器C3。

图6. LM48310示范板的接地层。

VDD层和接地层只有在电源或接地进入电路板时才会连接在一起。从这点上两个层面会分离，而宁静节点会持续与开关节点隔离。这种技术可有效防止开关噪声进入宁静区，以免影响性能或增加EMI。

图7. LM48310示范板的Vdd层。

基于其高效率的特性，D类放大器己成为便携和功耗敏感应用的最佳音频放大器选择。在音频质量和EMI性能方面的改进方面，使用D类放大器使得设计的工作变得更简易。再者，较宽松的PCB布线技术和比较少的外部元件都可将设计周期缩短，并缩小系统尺寸和降低成本，在不影响音质的前提下延长便携产品的电池寿命。