Fairchild（仙童）系列MOSFET主要参数速查表（五）

来源：本站整理作者：佚名 2013-07-26 09:14:33

    说明：1. BVDSS Min表示最小源漏击穿电压，使用时不得超过此电压；Qg TYP表示栅极总电荷量；ID表示额定电流；PD表示额定功率。
    2．若类型为“N ，P”，表示该MOSFET内含N,P沟道场效应管各一只；在主要参数列中，逗号前为N沟道场效应管参数，逗号后为P沟道场效应管参数。
    3.在彩电中，功率型MOSFET多为N沟道，其检测方法如下：先将指针万用表置于R×10k档，将红表笔接MOSFET的源极（S），黑表笔接MOS－FET的漏极（D），此时表针应指示在“∞”处，如果有数百千欧姆电阻或更小，表明该管DS极间漏电，不能使用。保持上述连接状态，再用一只100kΩ一220kΩ的电阻跨接在栅极（G）与漏极（D）间，这时万用表指针指示的电阻值应越小越好（理想状态是0Ω）。接下来，移走上述跨接电阻，这时万用表的读数应保持不变，若这时读数慢慢变大，则表明该管栅极漏电，不能使用。