由于MOSFET具有很低的导通电阻，因而在DC-DC转换器中有着广泛的应用，但是，过低的驱动电压会使MOSFET不能够工作于“完全导通”状态，从而大大降低了该转换器的效率。这也就是说，对于低电压降压的应用（例如把+1.8V降压为+1.5V)，直接驱动MOSFET是得不到高转换效率的。

　　图中所示电路可以把+1.8V至+3V的输入电压以大于90％的效率降压至1.5V，最大输出电流可达600mA。IC1等构成开关型DC-DC升压电路，IC2等构成开关型DC-DC降压电路，升压电路可把+1.8V至+3V的输入电压以84％的效率升压至+3.3V，该电压用于IC2驱动V1的工作电压，从而避免了低电压时MOSFET驱动电压过低的发生。降压电路可把+1.8V至+3V的输入电压以92％的效率降压至+1.5V，值得一提的是IC2被+3.3V偏置，但+1.5V输出电压则直接来自电池。调整电阻R3和R4的比值就可以改变输出电压。

     为了防止电源接通瞬间，IC1还未建立+3.3V输出电压时输入和输出直通，图中加了R1、R2等构成的电压检测控制电路。在IC1内部包含一只比较器，该比较器通常是应用于输入电压指示的，在此用于检测IC1的升压输出。当IC1还未输出+3.3V时，IC1的③脚输出高电平关闭IC2；输出+3.3V正常时则开启IC2。