正常工作情况下，漏极开路比较器输出为低电平，允许430&mICro;A的标称电流从晶体管的发射极，通过R2流入COUT1。相同(近似相同)电流流过集电极和R1，产生略高于-6.4V的VGS电压，驱动p沟道MOSFET。

    在该设计中，断路器的电流门限为900mA。由于MAX4373FESA从检流电阻到输出能够提供50V/V的增益，所以选择了这款器件。当900mA电流流过100mΩ的检流电阻R6时，产生90mV压降，该压降乘以50倍增益，在OUT端得到4.5V电压。比较器CIN1输入门限为600mV，选择6.5:1电阻分压网络即可得到我们要求的设定值。R4选择68kΩ，R5为10kΩ，即可得到936mA的实际负载电流门限，该门限值足够接近我们的目标值。

    当负载电流超过该门限时，比较器输出被锁存到高阻态。晶体管进入截止区，MOSFET随之关断。故障解除后，可以通过复位按键将电路恢复到正常工作模式。

    该电路适用于高电压(本例采用+28V)应用，电压至少为VCC电压的两倍。另外，VCC限制在+5.5V最大值，在比较器输出的限制范围内。电阻R1、R2取值的不同会引入一定增益，能够提供更高的MOSFET驱动电压，从而降低MOSFET导通电阻的损耗。