CDUT = IDUT / 2πfVac，其中
IDUT是流过DUT的交流电流幅值，
f是测试频率，
Vac是测得的交流电压的幅值和相角。
换而言之，这种测试通过加载交流电压然后测量产生的交流电流、交流电压和它们之间的阻抗相角，最终测出DUT的交流阻抗。

 
                                                 交流源
                                                                交流伏特计
                                                                                                            DUT电流
                                                     交流安培计

图3. C-V测量的基本测试配置
这些测量考虑了与电容相关的串联与并联电阻，以及耗散因子（漏流）。图4给出了这类测量可以测出的主要电路变量。

                       z, theta：阻抗与相角
                        R+jX：电阻与电抗
                        Cp-Gp：并联电容与电导
                        Cs-Rs：串联电容与电阻

                                                                                          其中：Z=阻抗
D=耗散因子
θ=相角
R=电阻
X=电抗
G=电导
图4. C-V测量得到的主要电气变量
成功C-V测量的挑战
C-V测试配置的框图虽然看上去非常简单，但是这种测试却具有一定的挑战。一般而言，测试人员在下面几个方面会遇到麻烦：
• 低电容测量（皮法和更小的值）
• C-V测试仪器与圆片器件的连接
• 漏电容（高D）的测量
• 利用硬件和软件采集数据
• 参数提取
克服这些挑战需要仔细注意所用的技术以及合适的硬件和软件。
低电容测量。 如果C较小，那么DUT的交流响应电流就较低，难以测量。但是，在较高的频率下，DUT阻抗将减小，从而电流会增大，比较容易测量。半导体电容通常非常低（低于1pF），低于很多LCR表的测量范围。即使那些声称能够测量这些小电容值的测试仪可能也会由于说明书晦涩难懂而很难判断最终的测量精度。如果无法明确给出测试仪整个量程的精度，那么用户需要因此而咨询制造商。
高D（漏）电容。半导体电容除了C值较低之外，还具有泄漏的特点。当与电容并联的等价电阻太低时就会出现这种情况。这会导致电阻性阻抗超过电容性阻抗，C值被噪声所淹没。对于具有超薄栅氧层的器件，D的值可能大于5。一般而言，随着D的增大，电容测量的精度迅速下降，因此高D是实际使用电容计的一个限制因素。同样，较高的频率有助于解决这一问题。在较高的频率下，电容性阻抗较低，使得电容电流较高，更容易进行测量。
C-V测量的互连。大多数测试环境下，DUT都是圆片上的一个测试结构：它通过探测器、探针卡适配器和开关矩阵连接C-V测试仪。即使没有开关，仍然也会使用探测器和大量的连线。在较高的频率下，必须采用特殊的校正和补偿技术。通常情况下，这是通过组合使用开路、短路或者校准器件来实现的。由于硬件、布线和补偿技术非常复杂，因此经常与C-V测试应用工程师进行交流是一个好的办法。他们擅长使用各种探测系统，克服各种互连问题。