晶闸管的并联

   由于单个元件耐压水平的提高，每个元件并联工作以增大设备功率的情形更常见，以两只晶闸管并联工作为例，如图二所示。

   理想情况下电流分布，I1=I2=I/2，但是由于元件参数的差异，比如饱和导通压降的差异，di/dt的差异，电路安装时工艺上的细微差别造成分布电感上差异等，直接导致I1≠I2，严重时将使电流较大的元件因过流而烧毁，因此必须采取措施保证I1与I2的差别在允许的范围内。
  
   通常采取的办法是：1）采用共轭电感，以保证动态均流；2）并联RC电路以吸收浪涌电压；3）尽量选用通态压降一致的晶闸管并联工作；4）严格安装工艺，保证各支路分布电感尽量一致，如图三所示

   以上所述的保护措施要根据元件工作频率的不足区别对待，在三相整流电路中，通常在电源端增设△形RC滤波器。

   由于晶闸管自身特性参数的原因，其极限工作频率一般限制在8KC以下，对于更高频率的使用要求，目前国内已经出现采用IGBT作为功率开关元件的超音频电源。

   IGBT的使用与保护

   绝缘栅双极晶体管（IGBT或IGT—InsulatedGateBipolarTransistor），是80年代中期发展起来的一种新型复合器件。IGBT综合了MOSFET和GTR的优点，因而具有良好的特性。目前IGBT的电流/电压等级已达1800A/1200V，关断时间已经缩短到40ns，工作频率可达40kHz，擎住现象得到改善，安全工作区（SOA）扩大。这些优越的性能使得IGBT称为大功率开关电源、逆变器等电力电子装置的理想功率器件。IGBT的驱动方式与可控硅有着明显的不同，导致控制电路有着很大的差异。可控硅采用强上升沿的窄脉冲信号驱动，而IGBT采用方波驱动。