3. 2 利用变阻器保护CC FET
    CC是另一个暴露于负电压的引脚，正常工作条件下，CC驱动充电控制器 FET的栅极，电压摆幅达到PKP引脚电压以关断场效应管。CC引脚拉至PKP电压以下约10 V时，FET导通。由于PKP将被箝位在-0．45 V，CC无法打开FET。然而，充电控制FET只能承受±20 V的栅-源电压。如果在充电控制器FET的栅极和源极之间增加变阻器V2，可保护CC FET免于损坏。如果没有V2，栅-源电压将达到-42 V左右，这将超出FET的额定值。
    变阻器V2在16V打开，箝制栅-源电压。则CC FET电压为：-42V+16V=-26V。CC电阻两端的压降：-26V-(-0.45V)=-2555V。假定使用250mW的电阻则：250mW= (-25．55V)2/RCC其中，RCC=1．857 kΩ。
    更大的CC和PKP电阻会导致充电控制器FET的通／断时间增大，从而使FET打开时在线性区域停留较长时间。实际应用中这个问题并不严重，因为电流受充电器限制。

3．3 箝位SNS引脚
    尽管CC FET关断，负电压作用在PK+使其体二极管导通。使SNS 出现负电压，SNS是最后一个需要肖特基二极管箝位的引脚。保护FET漏极电压：-42 V+O．6 V=-41.4 V。SNS引脚电压将箝位在-0．45 V。SNS电阻两端压降：-41.4V-(-0．45V)=-39．95 V。假设使用250 mW的电阻：250 mW=(-39．95 V)2／RCC，其中，RCC=6．384 kΩ。比较器SNS引脚将吸收约1μA电流：1μA×6．384kΩ=6．384 mV。
    这将在过电流门限引入误差约6.4 mV。如果使用额定功率更大的电阻，可以减小电阻值，从而降低这个误差。注意：SNS端的RC滤波器时间常数随着电阻的提高而改变。因此，电容值也要相应改变，以维持适当的时间常数。SNS的时间常数应该与RDOC和RSC时间常数相一致。如果这些引脚的时间常数不一致，会在过流门限引入额外误差。

4 结论
    DS2726 Li+电池保护器经过电路修改后，能够在充电器反接时保护电池组。设计中虽然作出了一些折中考虑，但不会对保护器的整体工作性能造成影响。本文计算假设使用额定功率为250 mW的电阻。如果选择额定功率更大的电阻，可以减小电阻值。较小的阻值有助于降低对过流门限产生的误差电压，也可以减小通／断时间。还需注意的是确保不要超过肖特基二极管的额定电流。