2．2 电容
    由图9可看出，在无屏蔽盒时，电容电压受外界高功率照射波的影响很大；在有屏蔽盒的情况下，电容受外界高功率照射波的影响虽不像电阻那样几乎可以忽略，但和无屏蔽盒比起来，这种影响确实要小得多。

2．3 电感
    由图10可看出，在无屏蔽盒时，电感电压在高功率微波波照射下变化很大；而在有屏蔽盒的情况下，电感电压在外界高功率微波的照射下虽也有波动，但波动幅度明显要比无屏蔽盒情况下小得多。

2．4 二极管
    模型与上节中二极管模型相同，但由于屏蔽盒的引进，整个计算空间区域变为272△x×66△y×40△z，平面波区域大小为256△x×50△y×24△z，屏蔽盒大小为240△x×40△y×14△z，在屏蔽盒正面开有一条25△y×4△z的小缝，微带电路位于整个区域中央。照射脉冲电场强度为30 kV／m。从图11可以看出，有屏蔽盒时，外界照射波对二极管影响很小。

3 结 语
    本文利用FDTD仿真了高功率微波脉冲对电阻、电容、电感、二极管等集总元件的影响，并比较了在有屏蔽盒和无屏蔽盒保护作用下集总元件受到的影响大小。从仿真结果可以看出：在电阻、电容、电感三者中，电感受高功率微波的影响最大，电阻次之，电容最小；二极管受到高功率微波脉冲照射时，当照射脉冲的幅值不是很大的时，二极管的正常工作将会受到很大的影响，但脉冲过后其功能又能恢复，但当脉冲功率幅值达到一定值时，二极管将会被二次击穿，其正常功能不能再恢复；在有屏蔽盒保护作用下，高功率微波脉冲对集总元件的影响很小。