2．1 工艺气体流量对炉内温度的影响
    在工艺温度稳定条件下，关闭小N2(磷源bubbler bottle)，通过手动调节大N2流量，试验记录扩散炉石英反应管内炉口、炉中、炉尾3段Profile TC(tlaermal couple)温度随炉内气体流量(压强)的变化情况，以研究炉内气氛场气体流量(压强)变化对与扩散均匀性密切关联的温度影响程度和趋势。试验过程包括：
    (1)检查炉门及各气路连接处的密封性；
    (2)设备温度PID参数自整定；
    (3)手动调节大N2流量，从25 L／min，增加到27 L/min，记录流量调节前后稳定温度值和流量变化导致的温度动态偏差值，见表1；
    (4)手动调节大N2流量，从25L／min，减少到23 L/min，记录流量调节前后稳定温度值和流量变化导致的温度动态偏差值，见表2，表中Zone1为炉尾，Zone2是炉中尾，Zone3为炉中，Zone4是炉中口，Zone5为炉口。
    从表1和表2的数据可看出，气流量由25 L／min向27 L／min变化，炉尾温度降低1℃，炉口温度无变化，气流量由25 L／min减少到23 L／min，炉尾温度升高1℃，炉口温度降低1℃。

2．3 废气排放位置对炉口均匀性的影响
    扩散炉恒温区的有限性与生产产量的最大化是矛盾关联的。在生产中，需要在恒温区最大限度地放置扩散硅片，保证恒温区温度的精度和稳定性。因配置悬臂式装载系统的扩散炉炉口对温度的干扰最大，可将废气管口尽可能地靠近炉门，同时也能改善靠近炉口方向硅片反应区域气氛场的均匀性。因此，分别调整废气排放位置并进行试验对比。