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基于CPCI的嵌入式系统的电源设计
来源:本站整理  作者:佚名  2009-10-16 09:57:47




    表1、2分别为CPU和PCI桥器件的功耗需求,CPU器件对上电顺序没有要求。其中VDD 1.5 V是PPC440EPx的内核电压,SOVDD是CPU的DDR2接口电源;1.8 V为PCI桥的内核电压,VDDIO是PCI桥的接口电源。

    该系统采用DDR2作为内存,使用4片Micron公司的MT47H64M16,容量为512 MB。每片DDR2器件的内核、接口和DLL的电源电压都是1.8 V,最大电流为440 mA。另外需特别注意DDR2的VREF以及地址和控制信号的端口接电压VTT,其电压值都是0.9 V。其中,VREF对容差的要求非常严格(小于2%),不过其对电流的要求较小。而对VTT不仅有严格的容差要求,而且还要求其能在瞬间输出或吸收很大的电流。同时,VREF岍要随着VDD的变化而变化,VTT也要跟踪VREF的变化。通常的LDO难以完成这样的工作,必须采用专用的DDR端接电源器件。
    该系统使用Spartan3型FPGA器件XC3S200实现1553收发器以及一些接口电路的设计。该器件使用3个电压内核电压VCCINT(1.2 V),辅助电压VCCAUX(2.5 V)以及接口电压VCCO(3.3 V)。FPGA内部有上电复位电路,只有当这3个电源信号都达到各自门限电压,才释放该复位信号。因此,对这3个电源信号的上电顺序没有要求。不过,如果 VCCINT先于VCCAUX上电,则会在上电时额外增加几百毫安的瞬时电流。估计FPGA器件功耗可采用基于电子数据表的工具XPower  Estimator(XPE)或在ISE下直接调用XPower。系统利用XPower软件估计出该设计功耗需求:VCCINT为50 mA,VCCAUX为10 mA。系统使用两片88E1111作为千兆以太网的PHY器件,该器件以2.5 V为砌电压(410 mA),1.0 V为内核电压(250 mA)。除上述集成电路外,系统还有诸如串行接口、USB接口、时钟等电路,但功耗都较低。从分析可知:1.5 V和1.8 V需要使用大功率的电源器件,DDR2的电源需要专用的电源器件,其他电压的功率要求较小。
2.2 电源器件选型
    电源器件主要分为线性稳压器和DC/DC转换器两大类型。LDO属于线性稳压器主要应用于输人和输出压差较小的场合,其特点是:成本低、噪音低、静态电流小、需外接元件少,但其转换效率不是很高,且输出电流一般不是很大。DC/DC转换器的转换效率高、输出大电流、静态电流小。但由于采用PWM控制,其开关噪音较大,成本也相对较高。且外接电路较复杂,一般都需外接开关管、电感及电容。许多新型 DC/DC将开关管集成到器件内部.因此只需外接电感和滤波电容。

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