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２ ＭＡＸ５８６５的典型应用
ＭＡＸ５８６５能以ＦＤＤ或ＴＤＤ模式工作在各种不同的应用中如在ＷＣＤＭＡ－３ＧＰＰ ＦＤＤ与４Ｇ技术的ＦＤＤ应用中工作于Ｘｃｖｒ模式，或在ＴＤ－ＳＣＤＭＡ、ＷＣＤＭＡ－３ＧＰＰＴＤＤ、ＩＥＥＥ８０２．１１ａ／ｂ／ｇ及ＩＥＥＥ ８０２．１６等ＴＤＤ应用中在Ｔｘ与Ｒｘ模式间切换等。在ＦＤＤ模式下，ＡＤＣ和ＤＡＣ可同时工作，且当ｆＣＬＫ 为 ４０ＭＨｚ时，消耗的功率为７５．６ｍＷ。实际上，ＡＤＣ总线与ＤＡＣ总线是分开的，并与数字基带处理器通过１８位（８位ＡＤＣ与１０位ＤＡＣ）并行总线进行连接。而在ＴＤＤ模式下，ＡＤＣ与ＤＡＣ交替工作，ＡＤＣ与ＤＡＣ总线共享，它们一起构成１０位并行总线连到数字基带处理器，并可通过３线串行接口选择Ｒｘ模式以启用ＡＤＣ或选择Ｔｘ模式启用ＤＡＣ。由于在Ｒｘ模式下，ＤＡＣ内核被禁用而不能发送；而Ｔｘ模式下，ＡＤＣ总线为高阻态，从而消除了杂散辐射，同时也避免总线冲突。在ＴＤＤ模式下，当ｆＣＬＫ为４０ＭＨｚ时，Ｒｘ模式下的功耗为６３ｍＷ，Ｔｘ模式下的ＤＡＣ功耗为３８．４ｍＷ。
图３所示是ＭＡＸ５８６５工作在ＴＤＤ模式的应用电路，该方案提供了完整的８０２．１１ｂ射频前端解决方案。由于ＭＡＸ５８６５的ＤＡＣ采用共模电压为１．４Ｖ的全差分模拟输出，而ＡＤＣ具有较宽的输入共模范围，可以直接与ＲＦ收发器接口，因此可省去电平转换电路所需要的分立元件和放大器。同时，由于内部产生共模电压免除了编码发生器的电平偏移或由电阻电平偏移引起的衰减，ＤＡＣ保持了全动态范围。ＭＡＸ５８６５的ＡＤＣ具有１ＶＰ－Ｐ满量程范围，可接受ＶＤＤ／２ ±２００ｍＶ的输入共模电平。由于可以省去分立的增益放大器与电平转换元件，因此简化了ＲＦ正交解调器与ＡＤＣ之间的模拟接口。
３ 设计注意事项
３．１ 系统时钟输入(ＣＬＫ)
ＭＡＸ５８６５芯片的ＡＤＣ与ＤＡＣ共享同一ＣＬＫ输入，该输入接受由ＯＶＤＤ设定的ＣＭＯＳ兼容信号电平，范围为１．８Ｖ至ＶＤＤ。由于器件的级间转换取决于外部时钟上升沿和下降沿的重复性，因此，设计时应采用具有低抖动、快速上升和下降（＜２ｎｓ）的时钟。特别是在时钟信号的上升沿进行采样时，其上升沿的抖动更应尽可能地低。任何明显的时钟抖动都会影响片上ＡＤＣ的ＳＮＲ性能。
实际上，欠采样应用对时钟抖动的要求更严格，由于此时有可能将时钟输入作为模拟输入对待，因此，布线时应避开任何模拟输入或其它数字信号线。ＭＡＸ５８６５的时钟输入工作在ＯＶＤＤ／２电压阈值下，能接受５０％±１５％的占空比。
３．２ 基准配置
ＭＡＸ５８６５内部具有精密的１．０２４Ｖ内部带隙基准，该基准可在整个电源供电范围与温度范围内保持稳定。在内部基准模式下，ＲＥＦＩＮ接ＶＤＤ时的ＶＲＥＦ是由内部产生的０．５１２Ｖ。ＣＯＭ、ＲＥＦＰ、ＲＥＦＮ均为低阻输出，电压分别为ＶＣＯＭ＝ＶＤＤ／２、ＶＲＥＦＰ＝ＶＤＤ／２＋ＶＲＥＦ／２、ＶＲＥＦＮ＝ＶＤＤ／２－ＶＲＥＦ／２。分别用０．３３μＦ电容作为ＲＥＦＰ、ＲＥＦＮ与ＣＯＭ引脚的旁路电容，并用０．１μＦ电容将ＲＥＦＩＮ旁路到ＧＮＤ。
在外部基准模式下，在ＲＥＦＩＮ引脚一般应施加１．０２４Ｖ±１０％的电压。该模式下，ＣＯＭ、ＲＥＦＰ与ＲＥＦＮ均为低阻输出，电压分别为ＶＣＯＭ＝ＶＤＤ／２、ＶＲＥＦＰ＝ＶＤＤ／２＋ＶＲＥＦ／４、ＶＲＥＦＮ＝ＶＤＤ／２－ＶＲＥＦ／４。可分别用０．３３μＦ电容作为ＲＥＦＰ、ＲＥＦＮ与ＣＯＭ引脚的旁路电容，并用０．１μＦ电容将ＲＥＦＩＮ旁路到ＧＮＤ。在该模式下，ＤＡＣ的满量程输出电压和共模电压均与外部基准成正比。例如，若ＶＲＥＦＩＮ增加１０％（最大值），则ＤＡＣ的满量程输出电压也增加１０％或达到±４４０ｍＶ，同时共模电压也将增加１０％。
