3 TIP41C晶体管的设计参数

　　TIP41C的纵向和横向结构参数如表2所列。该芯片的工艺流程如下：

　　N型外延片→一次氧化→一次光刻→干氧氧化→B离子注入→深基区扩散→二次光刻→磷预淀积→发射区扩散→特性光刻→特性hFE测试→P吸杂(PSG) →PLTO(低温氧化)→H2处理→三次光刻→QC检测(hFE、BVCBO、BVCEO)→蒸铝→四次光刻→铝合金→QC检测VBESAT→五次光刻 →PI胶钝化→中测抽检电参数→背面减薄(220μm)→蒸银→中测测试电参数→入库

　　图2所示是TIP41C的纵向结构图。

　　由于作者所在单位的生产车间设计比较简单，车间环境净化程度不高，因此，在一次氧化、基区扩散工艺中采用TCA工艺来对一次氧化、二次氧化过程中Na +的污染进行有效控制，发射区扩散采用P-吸杂工艺来控制三次氧化过程中Na+的产生，表面钝化则采用PI胶工艺来保证外界环境不影响芯片表面，同时进一步吸收、稳定氧化层正电中心的移动，从而使芯片ICEO漏电大大减少，目前，TIP41C的电参数达到国际先进水平。

4 结束语

　　大量生产数据表明，我司设计的TIP41C晶体管芯片生产成本低，芯片尺寸1.78×1.78 mm2(为目前市场最小)，生产原材料完全采用国产材料，目前，该芯片的关键电参数(大电流特性和饱和压降)已达到国际先进水平，因而具有极强的市场竞争力。