当次级端的输出二极管上的电流减少为零时，此时辅助绕组上的电压会因为变压器的电感与MOSFET 上输出电容 COSS 产生谐振，直到 MOSFET 再次导通。

图 2, 控制器的输出波形

其中 LP 为变压器初级端的感量；ton 为MOSFET的导通时间；NAUX/NS 为变压器辅助绕组与次级端绕组的圈数比；VO 为输出电压；VF 为次级端输出二极管的正向导通电压。

这个采样的方式同样可以取得变压器的放电时间 tdis，如图 2 所示，次级端输出二极管上的电流平均值会等于输出电流 IO，因此输出电流 IO 可以藉由 ipk 与 tdis 表示为式 (3)

其中 tS 为 PSR 控制器的开关周期；NP/NS 为初级端与次级端的圈数比；RSENSE 为初级端电流取样电阻。

实际实现一个5W的充电器，输出规格的定义为5V/1A。控制器采用FSEZ1216，这个PSR控制器集成了 600V 的高压 MOSFET，因此可以减少驱动MOSFET 的线路与 PCB 走线的干扰。而为了要降低待机损耗，PSR控制器内部的省电模式将会在轻载时线性地降低 PWM 的频率，达到目前电源规范省电的需求；跳频机制提升 EMI 的效能，同时充电器的输出电压会因配备较长的输出缆线而导致输出电压降低，也可利用内部补偿机制提升输出电压的调节能力。

此技术利用采样变压器初级端的辅助绕组上的电压达到输出端的恒定电流与恒定电压的调节，这样的优点可以节省传统采用次级端反馈线路、光藕合器与次级端侦测电流电阻等组件。