VBOOST在3.3V附近跟踪VHH电压变化。备用电池在充满后电压高于VBOOST，而在电量接近于耗尽时，电压低于VBOOST ，因而LDO和升压调节器按顺序提供必需的降压/升压功能。SEPIC、反激和正向配置也能够实现降压和升压功能，但是它们都需要体积庞大、价格昂贵的电磁存储元件(变压器)，并且缺少LDO所提供的噪声抑制功能。基于这样的考虑，图1所示的电路优于其它方案。

    下一步考虑当调制解调卡插入主机的PCMCIA连接器中会发生什么情况。这一步作用是使得在相对应的电路地(GND)之间以及在所有的双向数据控制线之间电气上相连接。然后主机使用EN线来使能或者禁止调制解调器硬件。如果EN线在硬件交互时初始为低电平，那么所有的调制解调器硬件将被禁止，对LDO节点呈现高阻特性。

    当主机VHH (正常3.3V)电源通过连接器给C1充电时IC2接收到电源，IC2最低工作电压可保证正确上电工作，即使VHH在其范围的下限(低于正常值的10%)。内部15μs延时使得VHH在/PG输出变为低电平之前达到稳定(在V+端)，同时通知主机此时能够通过EN线使能调制解调器电路。/PG低电平(虚地)使得双电阻分压器接地，可用于检测电池和升压调节器的电压。

    当VHH连接时，IC2在/PG变低时将/ONB拉低，IC1开始关闭通过L1的能量，提高VBOOST电压至约3.7V (通过R3/R4的反馈)。最初LDO关断，在VBOOST实现调节时打开，当LDO输出高于2.3V (应该是在3.3V，因为VHH已通过R2给C2充电) IC1进入跟踪模式。跟踪模式是IC1的一项特殊功能，能够迫使VBOOST电压高于LDO电压300mV，可通过连接IC1的OUT和TRACK引脚设置该功能。300mV的余量充许LDO保持稳定，即使在最大输出电流下也能保证所要求的PSRR。因为跟踪模式下电压被强制在所要求的最小值，LDO消耗电池的能量最少。

    当IC1的FBLDO引脚为内部基准源电压(通常1.23V)时LDO处于调节状态。FBLDO电压由通过R5的电流产生，该电流正比于通过R2的电流。因而，IC2具有传输函数VOUT = gm(VSENSE)R5，其中VOUT为R5上的电压，VSENSE为RS+端与RS-端之间(R2)的电压，gm = 10-2 mho。当LDO调节时，VOUT = VFBLDO = 1.23V。因而VSENSE = VFBLDO/(gm*R5).

    使用关系式VLDO = VHH + VSENSE替换上式中的VSENSE，

    VLDO = VHH + VFBLDO/(gm*R5).

    将图1所示电路中的数值代入，

    LDO = VHH + 1.23/(10-2*104) = VHH + 12.3mV.

    设置R5为10kΩ使得检测电压为12.3mV。根据上式，可以选择R2对从LDO到VHH的电流量编程。例如，R2 = 1kΩ，R2上电流约为12μA。

    使用IC2 (高端检流放大器)的目的是使用低值高功率、精确的检流电阻精确测量高端电流。该应用在使用10%精度低功率检流电阻(例如1/16W表贴的电阻)中 并不常见。我们不关心从LDO到VHH的电流的准确大小。我们只关心这个电流尽量小。

    使用高阻值(1kΩ)检流电阻的好处之一便是在 VLDO短路或者过载情况下仅通过R2从主机吸收大约3.3mA电流，这并不足于让系统崩溃。R2值不必为1kΩ;IC2吸收电流约为800mA，所以设置 R2 = 12mV/800μA = 15W，允许LDO节点(不是主机)为IC2供电。

    在另一个可选的配置中，IC2的V+节点可直接连接到LDO而不是VHH。IC2从LDO得到电源，除了在上电期间，此时电源从VHH到R2给LDO供电。这种方案要求PA和调制解调器硬件关断，对LDO呈现高阻特性，使得R2上没有降电压，同样R2的值必须足够小以保证在正常工作(3V)时V+节点具有最小电压。如果 VHH = 3.6V或者更高，R2必须小于375Ωp。这个值保证了IC2在工作电流0.8mA时在VHH范围的下限(3.6V - 10%)不超过0.3V的压降。

    肖特基二极管(D2，D3)与R2并联，在RS+与RS-之间过压时保护IC2。D2、D3引入小量的漏电流，不会影响电路的工作。与R5并联的电容使LDO反馈节点的高频噪声对地旁路，这样保证VLDO电压光滑平稳。前面提到，IC1包括一个具有不定输入和输出的比较器。在这个电路中，比较器监测备用电池电压，当剩余电量接近于能够保持通信连路工作的临界值时向主机报警。