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式(4)中，C1是已校准电容，且C2与C1之间有相互联系的权重关系，而C2与C1之间的失配误差可以通过CV描述出来。CV的值对应右侧低K位电容阵列的开关二进制值，即将电容失配误差的影响通过数字域描述出来，并在正常转换过程中，将这些误差通过相应的处理后加载在电路中，实现校准误差的效果。
2.2 SAR ADC校准算法的实现
假设单位电容的失配误差为?驻，通过对应位电容数量的加和，可以近似模拟高位电容误差的统计分布情况。当每位电容的统计误差与其对应的权重(2n)乘积超过单位权值时，需要考虑对此位进行校准。
现假设需要校准的最低位电容CL1为左侧低K位电容阵列中的某电容。将CL1低一位的电容C0视为基准电容值，高位电容则需要依次校准为2i×C0，以达到相互匹配的关系。首先需要用右侧低位校准电容阵列表示出基准电容C0的大小。在Φ1工作状态，左右侧电容阵列均不接入电容，输出接共模电平。Φ2工作状态，左侧电容阵列接入C0，同时右侧低位校准电容阵列接入可变的Cv0电容，观察比较器的输出，当比较器输出发生跳变时，有：
Calib集合保存的是对应位电容的校准码值，在正常的SAR ADC模数转化过程中，加载到右侧低位的校准电容阵列中，与对应待校准电容的共同作用下，起到校准电容失配误差的效果。
3 系统行为级仿真及结果分析
设置单位电容的失配误差为0.5%，建立带有统计分布失配误差的14 bit电容阵列模型。由于本次的系统行为级仿真是为了验证校准算法的正确性及有效性，因此，设计比较器为理想的比较器，可以实现无限精度的比较。
系统级仿真内容包括采用码密度直方图方式仿真微分非线性（DNL）和积分非线性（INL）等常规静态参数，并采用FFT法进行频谱分析，仿真信噪比、信噪失真比和有效位数等动态参数[6]。
进行静态参数仿真时，满足0.3LSB精度、95%置信度，仿真点数设置为220个。
对于ADC的频谱分析，设置采样频率fs为200 kHz，采样点数为N为8 192个点，采样的周期数M为129个。
